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85HFR60 发布时间 时间:2025/12/26 19:25:12 查看 阅读:20

85HFR60是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array),专为高速数据线路的静电放电(ESD)和电气过应力(EOS)保护而设计。该器件采用紧凑的微型封装,适用于需要高密度布局和高性能保护的便携式电子设备。85HFR60集成了多个TVS二极管,能够在极短时间内响应瞬态过电压事件,将电压钳位到安全水平,从而保护下游敏感的半导体器件,如集成电路、微处理器和通信接口。其低电容设计确保了对高速信号完整性的影响最小化,适合用于USB、HDMI、DisplayPort等高速接口的保护电路中。该器件符合RoHS和无卤素要求,适用于现代绿色电子产品制造。

参数

类型:TVS二极管阵列
  通道数:6
  工作电压(VRWM):5.0V
  击穿电压(VBR):6.3V(最大)
  钳位电压(VC):12.0V(典型)
  峰值脉冲电流(IPP):3.5A(每通道)
  寄生电容(Ct):0.4pF(典型,f = 1MHz)
  ESD耐受能力:±15kV(接触放电,IEC 61000-4-2)
  封装形式:Ultra Minitte(SOD-882)
  极性:双向
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

85HFR60具备卓越的瞬态抑制性能,能够在纳秒级时间内响应高达±15kV的静电放电事件,有效防止因人体接触或设备操作过程中产生的静电对内部电路造成损坏。其核心优势在于超低的结电容设计,典型值仅为0.4pF,这使得它非常适合应用于高频高速信号传输线路中,例如USB 3.0、HDMI 2.0和MIPI接口等,不会引入明显的信号衰减或失真。此外,该器件采用双向极性结构,能够同时抑制正负方向的瞬态电压,增强了系统的可靠性。
  该TVS阵列采用先进的硅芯片工艺制造,具有稳定的击穿特性和优异的重复性,能够在多次浪涌冲击后仍保持性能不变。其小型化的SOD-882封装不仅节省PCB空间,还优化了寄生电感路径,进一步提升了高频响应能力。热稳定性方面,器件可在-55°C至+150°C的宽温范围内正常工作,适应严苛的工业与消费类环境。内置的低漏电流设计(通常小于1μA)也保证了在待机或低功耗模式下的系统能效不受影响。
  85HFR60通过了IEC 61000-4-2 Level 4和IEC 61000-4-4标准认证,表明其在抗电磁干扰和系统级EMC测试中表现优异。该器件无需外部偏置电源即可自动工作,集成度高,简化了电路设计流程。由于其出色的动态电阻特性和快速恢复时间,即使在频繁触发的ESD事件下也能维持稳定的保护性能。整体而言,85HFR60是高性能、小尺寸和高可靠性的理想结合,广泛用于移动设备、可穿戴产品和便携式医疗仪器中的接口保护方案。

应用

主要应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的高速数据接口保护,如USB Type-C、HDMI、SD卡槽、音频插孔和触摸屏控制器线路。也可用于工业通信模块、传感器接口和便携式测试设备中,提供可靠的ESD防护。此外,在汽车信息娱乐系统和车载摄像头链路中,85HFR60可用于抵御来自线束耦合的瞬态干扰,提升系统鲁棒性。其低电容和快速响应特性使其成为高速差分信号线路(如LVDS、MIPI D-PHY)的理想保护元件。

替代型号

[
   "85HFR60-TP",
   "85HFR60-G"
  ]

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85HFR60参数

  • 数据列表85HF(R) Series
  • 标准包装100
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)600V
  • 电流 - 平均整流 (Io)85A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 267A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电9mA @ 600V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型底座,接线柱安装
  • 封装/外壳DO-203AB,DO-5,接线柱
  • 供应商设备封装DO-203AB
  • 包装散装
  • 其它名称*85HFR60