型号：FAM-15PASR
　　类型：InGaAs 雪崩光电二极管（APD）
　　封装形式：TO-46 金属封装
　　工作波长范围：1000 - 1700 nm
　　峰值响应波长：1550 nm
　　响应度（@1550 nm）：0.95 A/W
　　增益（典型值）：100
　　暗电流（典型值）：< 5 nA
　　结电容（典型值）：1.2 pF
　　上升/下降时间（典型值）：< 1 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +100°C
　　最大反向电压：90 V
　　光敏面直径：0.3 mm
　　是否集成TEC：否
　　是否内置温度补偿：是

FAM-15PASR的核心优势在于其卓越的光电转换效率与极低的噪声水平，使其成为远距离光纤传感与高速光通信系统的理想选择。该器件采用优化的InGaAs/InP异质结结构，在1550 nm通信窗口表现出极高的量子效率，同时通过精确控制掺杂浓度和电场分布，有效抑制了隧道电流和表面漏电流，从而大幅降低暗电流。其内部雪崩增益机制能够在不引入过多过剩噪声的前提下提供稳定的信号放大功能，确保系统在低光功率输入时仍能维持高信噪比。
　　器件的快速响应特性得益于小尺寸光敏区设计和低结电容，这不仅提升了带宽性能，也减少了时间抖动，对于时间分辨应用如LiDAR和OTDR至关重要。FAM-15PASR集成了温度反馈电路，可根据芯片温度自动调节偏置电压，以维持增益稳定性，避免因环境变化导致性能漂移。这一特性极大简化了外围驱动电路的设计，提高了系统集成度。
　　此外，TO-46金属封装提供了优异的电磁屏蔽能力和热传导性能，有助于散热并防止外界干扰。该封装还支持光纤耦合配置，便于与单模光纤对接，提升耦合效率。FAM-15PASR经过严格的老化测试和可靠性验证，符合工业级和部分军用标准，适用于长时间连续运行的应用场景。其高可靠性和一致性使其广泛应用于科研仪器、安全监控及高端电信设备中。

FAM-15PASR主要应用于需要高灵敏度和快速响应的光探测系统。在长距离光纤通信系统中，它被用作接收端的关键元件，特别是在2.5Gbps至10Gbps速率的光模块中，能够有效提升接收灵敏度，延长传输距离。在光时域反射仪（OTDR）中，由于其高增益和低噪声特性，可精确检测光纤链路中的微小损耗和断裂点，提高故障定位精度。
　　在激光雷达（LiDAR）领域，FAM-15PASR用于远距离目标探测与三维成像，尤其是在大气穿透能力强的1550 nm波段系统中，能有效规避人眼安全限制，实现更高功率发射与更远探测距离。其纳秒级响应时间支持高时间分辨率测距，适用于自动驾驶、地形测绘和无人机导航等场景。
　　此外，该器件在量子通信系统中作为单光子探测器使用（配合门控或淬灭电路），可用于量子密钥分发（QKD）协议中的光子计数，保障信息安全传输。在科学研究方面，FAM-15PASR也被用于荧光寿命测量、超快光学实验和深空光通信接收系统，展现出广泛的适应性和高性能表现。