时间：2025/8/16 9:55:47
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FP31QF-F 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻、高效率和良好的热性能，适用于各种高功率密度设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流：31A
最大漏-源电压：60V
导通电阻（Rds(on)）：40mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：27nC（典型值）
封装类型：TO-220FP
工作温度范围：-55°C 至 175°C
FP31QF-F 的最大漏极电流为 31A，最大漏-源电压为 60V，适用于中高功率应用。其导通电阻（Rds(on)）仅为 40mΩ，确保了在高电流下的低功率损耗，提高了整体效率。此外，该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）为 27nC，有助于减少开关损耗，适用于高频开关电路。
该器件采用 TO-220FP 封装，具备良好的散热性能，适用于各种电源管理系统。FP31QF-F 还具有宽泛的工作温度范围（-55°C 至 175°C），使其能够在极端环境下稳定工作。其先进的沟槽式技术不仅提高了器件的可靠性，还增强了抗热失效能力，确保在高负载条件下的长期稳定性。
FP31QF-F 在设计上优化了开关性能，减少了导通和关断过程中的能量损耗，适用于电源转换器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统等应用。此外，该 MOSFET 还具备良好的短路耐受能力，能够在瞬态过载情况下提供额外的安全保障。
FP31QF-F 主要用于需要高效能功率管理的场合，例如电源适配器、电池充电器、DC-DC 转换器、工业自动化设备、电机驱动器、负载开关、LED 照明系统和电池管理系统等。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适用于需要高效能和高可靠性的设计。
STP31NF60, IRFZ44N, FDP31N60
