80NF03 是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由多家半导体制造商生产,广泛应用于电源管理、开关电路和功率转换系统中。这款MOSFET具有较低的导通电阻、较高的电流承载能力和良好的热稳定性,适合用于中高功率的DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及电池管理系统等领域。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):80A
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):典型值为4.5mΩ(在VGS=10V时)
功率耗散(PD):150W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-220、TO-262、D2PAK等
80NF03 MOSFET具有多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率,从而在电源转换和功率控制应用中实现更高的能量利用率。该器件的最大漏极电流为80A,能够支持高电流负载,适用于需要大电流输出的电源系统。
此外,80NF03具备高达30V的漏源电压耐受能力,使其在低压大电流的应用场景中表现稳定。栅源电压容限为±20V,确保了在不同驱动条件下器件的可靠性与稳定性。
该MOSFET采用先进的工艺制造,具有良好的热稳定性与散热性能,能够在高功率密度环境下长期稳定工作。其工作温度范围宽达-55°C至+175°C,适应多种恶劣工作环境。
在封装方面,80NF03 提供多种封装形式,如TO-220、TO-262和D2PAK等,便于根据具体应用需求进行选择和安装,适用于各种功率电路的布局设计。
80NF03 主要应用于各类电源管理系统和功率电子设备中。在DC-DC转换器中,它作为主开关元件,能够高效地进行电压转换,广泛用于笔记本电脑、服务器、通信设备和工业控制系统等产品中。
在电池管理系统中,80NF03可用于电池充放电控制和保护电路,实现对电池状态的精确管理。同时,它也适用于负载开关和马达驱动电路,在电动车、电动工具和工业自动化设备中发挥重要作用。
此外,80NF03还广泛用于开关电源(SMPS)、逆变器、UPS(不间断电源)、LED驱动器等应用中,凭借其高效、可靠的特点,提升了整体系统的性能与稳定性。
IRF3710, STP80NF03L, FDP80NF03L, NTD80N03R