时间：2025/9/6 19:26:02
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HM5216805TT-12 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片属于高速、低功耗的SRAM系列，通常用于需要高速数据访问和高可靠性的系统中，如工业控制、通信设备和嵌入式系统。该型号的具体容量为16K x 8位，即总存储容量为128KB，访问时间为12ns，适用于高速数据缓存和临时数据存储场景。
容量：16K x 8位
访问时间：12ns
电源电压：5V
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：并行
最大工作频率：约83MHz
封装引脚数：54
功耗：典型值为180mA（工作模式）
HM5216805TT-12 具备高速访问能力，其访问时间仅为12ns，能够满足对性能要求较高的应用需求。该芯片采用低功耗设计，在保持高性能的同时有效降低能耗，适用于对功耗敏感的嵌入式设备。
其采用54引脚TSOP封装，便于在高密度电路板上安装使用，并具备良好的散热性能。此外，该芯片支持工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C），可在恶劣环境中稳定运行，提升了系统的可靠性和适应性。
在功能方面，HM5216805TT-12 提供标准的并行接口，与多种微控制器和嵌入式系统兼容，简化了系统设计和集成过程。其采用CMOS工艺制造，具备较高的抗干扰能力和稳定性，确保在复杂电磁环境中数据的准确读写。
HM5216805TT-12 主要应用于需要高速缓存和临时数据存储的场景，如嵌入式控制器、工业自动化设备、网络交换设备、测试仪器以及通信模块。由于其高速性和低功耗特性，也适用于便携式设备和电池供电系统中的高速数据缓冲。此外，该芯片还可用于图像处理、音频处理等对数据吞吐量要求较高的系统中，作为高速缓冲存储器使用。
CY62167EDE-45LLXI、IS61LV10248ALLB4-10B、IDT71V416S12PF、AS7C31026A-12TC
