您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > F5N50

F5N50 发布时间 时间:2025/8/25 5:10:24 查看 阅读:22

F5N50是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用TO-220封装形式,具备高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性。F5N50适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各类功率控制电路。其设计旨在提供高效的功率处理能力和可靠的运行性能。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):500V
  栅源电压(Vgs):±30V
  连续漏极电流(Id):4.5A
  功耗(Pd):50W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  存储温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220

特性

F5N50 MOSFET具有多项优异的电气和热性能,确保其在各种功率应用中稳定运行。其最大漏源电压为500V,使其适用于高电压环境。该器件的栅源电压范围为±30V,提供了良好的栅极控制能力,并具备较强的抗干扰能力。F5N50的最大连续漏极电流为4.5A,在适当的散热条件下可提供较高的功率输出。其最大功耗为50W,支持长时间运行而不易过热。
  F5N50采用TO-220封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,便于安装在标准散热片上。该封装形式还提供了较高的绝缘性能,确保安全使用。此外,F5N50具有较低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。其快速开关特性使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器,能够有效降低开关损耗,提高响应速度。
  该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C,适用于广泛的工业和消费类应用。同时,其存储温度范围也为-55°C至150°C,确保器件在不同环境条件下均能保持稳定性能。F5N50具备较高的可靠性,适用于要求长时间运行和高稳定性的应用场景。

应用

F5N50广泛应用于各类电力电子设备中,特别是在需要高电压和较高电流控制的场合。常见的应用包括开关电源(SMPS)、AC-DC适配器、LED驱动器、DC-DC转换器以及电机控制电路。在开关电源设计中,F5N50可作为主开关元件,负责高效地切换输入电压,以实现稳定的输出电压。在DC-DC转换器中,该MOSFET可用于升压(Boost)或降压(Buck)拓扑结构,实现高效的电压转换。
  此外,F5N50还可用于电池管理系统、逆变器、不间断电源(UPS)以及功率因数校正(PFC)电路。在电机驱动应用中,F5N50可用于控制直流电机的启停和调速,提供可靠的功率输出。由于其具备良好的热稳定性和抗过载能力,F5N50也适用于各类工业自动化设备、智能家电和消费电子产品中的电源管理模块。
  在设计中使用F5N50时,需要注意其栅极驱动电压的匹配问题,并确保适当的散热措施,以延长器件寿命并提高系统稳定性。

替代型号

FQPF5N50C, FDPF5N50, F5N50-F

F5N50推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价