时间：2025/8/25 5:10:24
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F5N50是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用TO-220封装形式，具备高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性。F5N50适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各类功率控制电路。其设计旨在提供高效的功率处理能力和可靠的运行性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：500V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：4.5A
功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
存储温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
F5N50 MOSFET具有多项优异的电气和热性能，确保其在各种功率应用中稳定运行。其最大漏源电压为500V，使其适用于高电压环境。该器件的栅源电压范围为±30V，提供了良好的栅极控制能力，并具备较强的抗干扰能力。F5N50的最大连续漏极电流为4.5A，在适当的散热条件下可提供较高的功率输出。其最大功耗为50W，支持长时间运行而不易过热。
F5N50采用TO-220封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，便于安装在标准散热片上。该封装形式还提供了较高的绝缘性能，确保安全使用。此外，F5N50具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。其快速开关特性使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器，能够有效降低开关损耗，提高响应速度。
该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于广泛的工业和消费类应用。同时，其存储温度范围也为-55°C至150°C，确保器件在不同环境条件下均能保持稳定性能。F5N50具备较高的可靠性，适用于要求长时间运行和高稳定性的应用场景。
F5N50广泛应用于各类电力电子设备中，特别是在需要高电压和较高电流控制的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、LED驱动器、DC-DC转换器以及电机控制电路。在开关电源设计中，F5N50可作为主开关元件，负责高效地切换输入电压，以实现稳定的输出电压。在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，实现高效的电压转换。
此外，F5N50还可用于电池管理系统、逆变器、不间断电源（UPS）以及功率因数校正（PFC）电路。在电机驱动应用中，F5N50可用于控制直流电机的启停和调速，提供可靠的功率输出。由于其具备良好的热稳定性和抗过载能力，F5N50也适用于各类工业自动化设备、智能家电和消费电子产品中的电源管理模块。
在设计中使用F5N50时，需要注意其栅极驱动电压的匹配问题，并确保适当的散热措施，以延长器件寿命并提高系统稳定性。
FQPF5N50C, FDPF5N50, F5N50-F
