7447412331 时间：2025/8/8 4:37:32 阅读：29

7447412331 是一个由 Vishay Siliconix 制造的双 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）阵列，常用于高性能功率管理和电源转换应用。该器件集成了两个独立的 MOSFET，能够在高频率下提供高效能，适用于同步整流、DC-DC 转换器和负载开关等电路。

参数

类型：双 N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：8A（每个通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：17mΩ @ VGS = 10V
　　功率耗散：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：8-PowerTDFN

特性

7447412331 提供了优异的电气性能和高可靠性，适合在多种功率应用中使用。其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件的双 MOSFET 设计使得在同步整流和 DC-DC 转换器中能够实现更高的功率密度和更小的 PCB 面积。此外，其高栅极电压容限（±20V）确保了在各种工作条件下的稳定性。
　　该 MOSFET 的封装形式为 8-PowerTDFN，具有良好的热管理性能，能够在高功率密度环境中保持较低的温升。这种封装还提供了出色的机械稳定性和热循环耐久性，适用于工业级和汽车级应用。
　　7447412331 的设计使其能够在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗并提高了整体系统效率。同时，该器件的快速开关特性也使其适用于需要高动态响应的电源管理系统。

应用

7447412331 广泛应用于各种电源管理和功率转换系统中。它常用于同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动器等电路。由于其优异的性能和可靠性，该器件也适用于汽车电子、工业自动化和通信设备中的功率管理模块。
　　在同步整流器中，7447412331 可以显著提高整流效率，减少能量损耗。在 DC-DC 转换器中，它能够提供高效的电压转换，并支持高频率操作，从而减小外部元件的尺寸和成本。在负载开关应用中，该器件可以实现快速的开关操作，保护系统免受过载和短路的影响。