时间：2025/9/1 9:55:39
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IS43TR82560B-15HBLI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）制造的高性能、低功耗、高速率的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于异步SRAM兼容型DRAM，具有256K x 8位的存储容量，工作电压为3.3V，适用于需要高速数据存取的应用场景。IS43TR82560B-15HBLI采用先进的CMOS工艺制造，具备高可靠性、低功耗和高集成度等特点，广泛应用于工业控制、通信设备、网络设备和消费类电子产品中。
容量：256K x 8位
电压：3.3V（典型值）
访问时间：15ns
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
引脚数：54
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装尺寸：54-TSOP
接口类型：异步
最大工作频率：约66MHz（对应15ns访问时间）
刷新方式：自动刷新/自刷新
数据保持电压：2.3V 至 3.6V
IS43TR82560B-15HBLI具有多项优异的性能特点，首先其15ns的访问时间使其适用于高速存储应用，能够满足大多数嵌入式系统和工业设备对快速响应的需求。该芯片支持异步接口，兼容多种主控器的访问方式，简化了系统设计和硬件连接。在功耗方面，IS43TR82560B-15HBLI采用了低功耗CMOS工艺，在待机模式下电流极低，非常适合对功耗敏感的设备。其封装形式为54-TSOP，体积小、便于PCB布局，并具备良好的散热性能。芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级工作环境，确保在恶劣条件下稳定运行。此外，该芯片具备自动刷新和自刷新功能，有效延长数据保存时间，减少主控器负担。
IS43TR82560B-15HBLI广泛应用于多个领域，包括但不限于工业控制设备、网络通信设备、路由器、交换机、测试仪器、视频采集与处理设备、医疗电子设备以及高性能消费电子产品。由于其高速访问、低功耗和宽温特性，该芯片在需要实时数据处理和存储的系统中表现出色。
IS43TR82560B-15HBLI的替代型号包括IS43TR82560B-15HBLA、IS43TR82560B-15HBLJ和CY7C1041CV33-15ZSXI等。
