DMA200YA1600NA 是一款由东芝(Toshiba)制造的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,专为高功率应用设计。该模块结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性,使其在高电压和高电流条件下具有优异的性能。该型号通常用于工业电机驱动、电力转换系统和变频器等应用。
类型:IGBT模块
最大集电极-发射极电压(VCES):1600V
额定集电极电流(IC):200A
封装类型:双列直插式(Dual-in-line)
工作温度范围:-40°C至+150°C
栅极驱动电压:±15V至+20V
短路耐受能力:支持
绝缘等级:符合UL标准
DMA200YA1600NA 具备多项先进的电气和热性能,使其在高功率应用中表现出色。其最大集电极-发射极电压为1600V,能够承受高电压应力,适用于中高压系统。额定集电极电流为200A,确保模块在大电流条件下稳定运行。模块采用高耐热材料封装,具有良好的热稳定性和机械强度,能够在恶劣环境中长期工作。此外,该模块具备优异的短路耐受能力,可在异常情况下保护电路免受损坏。其栅极驱动电压范围宽,通常为±15V至+20V,便于与各种驱动电路兼容。模块的封装设计符合行业标准,便于安装和散热管理,适用于紧凑型功率电子系统。DMA200YA1600NA 还具备较低的导通压降和开关损耗,有助于提高整体系统效率并减少发热。这些特性使得该模块成为工业变频器、电机驱动器和可再生能源系统中的理想选择。
DMA200YA1600NA 主要用于需要高功率密度和高可靠性的工业应用。常见的应用包括交流电机驱动器、变频器、不间断电源(UPS)、工业自动化设备以及可再生能源系统如太阳能逆变器和风力发电转换系统。此外,该模块也可用于电力机车和电动车的牵引控制系统中,提供高效的电能转换和控制。由于其高耐压和大电流能力,该模块在各类高功率电子系统中发挥着关键作用。
Toshiba DMA200YA1600NA 的替代型号包括英飞凌(Infineon)的FF200R16KE3和富士电机(Fuji Electric)的2MBI200U4B160-50。这些型号在性能和封装方面与DMA200YA1600NA相近,可以作为备选方案。