时间：2025/12/27 8:40:10
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7N65LL-TQ2-T是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOS）生产的高压、高速N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率开关电源应用而设计。该器件的额定电压为650V，连续漏极电流可达7A（在25°C下），具备优异的导通电阻和开关性能，适合用于需要高能效和紧凑设计的电力电子系统中。7N65LL-TQ2-T采用了小型化的TQFN-8L封装（热增强型四边扁平无引脚封装），具有良好的散热性能和低寄生电感，适用于空间受限但对热管理要求较高的应用场景。该MOSFET广泛应用于AC-DC开关电源、适配器、充电器、LED照明电源以及待机电源等场合。其设计优化了雪崩能量耐受能力，提高了系统在异常工作条件下的可靠性。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了相关工业安全认证，确保在多种环境下的稳定运行。
型号：7N65LL-TQ2-T
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：650V
最大栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID @ 25°C）：7A
脉冲漏极电流（ IDM）：28A
导通电阻（RDS(on) @ VGS = 10V）：0.29Ω
导通电阻（RDS(on) @ VGS = 10V, 最大值）：0.34Ω
阈值电压（Vth）：3.0V ~ 4.5V
输入电容（Ciss）：1100pF @ VDS = 25V
输出电容（Coss）：180pF @ VDS = 25V
反向恢复时间（trr）：35ns
最大功耗（PD）：50W
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装形式：TQFN-8L（热增强型）
安装方式：表面贴装（SMD）
7N65LL-TQ2-T采用AOS专有的高压沟槽工艺技术，实现了在650V高电压等级下的低导通电阻与优异的开关特性之间的平衡。其RDS(on)典型值仅为0.29Ω，在同类产品中表现出色，有效降低了导通损耗，提升了整体电源转换效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为45nC，有助于减少驱动电路的功耗并加快开关速度，特别适用于高频开关应用如PFC（功率因数校正）电路和SMPS（开关模式电源）。
器件内部结构经过优化，具有出色的雪崩耐量和抗短路能力，增强了在瞬态过压或负载突变情况下的系统鲁棒性。其TQFN-8L封装不仅尺寸小巧（通常为5mm x 6mm），还集成了裸露焊盘以实现高效的热传导，使芯片结到PCB的热阻（RθJC）显著降低，从而支持更高的功率密度设计。此外，封装引脚布局经过优化，减少了源极寄生电感，进一步改善了高频开关时的EMI性能。
7N65LL-TQ2-T具备良好的栅极氧化层可靠性，能够承受±30V的栅源电压冲击，提升了在复杂电磁环境中的耐用性。其阈值电压范围适中（3.0V~4.5V），兼容常见的PWM控制器驱动信号，适用于宽范围输入电压的电源设计。器件还具备较低的输出电容和反馈电容，有助于减少开关过程中的能量损耗和电压振荡，提高系统稳定性。所有这些特性共同使得7N65LL-TQ2-T成为高性能、高可靠性电源系统的理想选择。
7N65LL-TQ2-T广泛应用于各类中等功率的开关电源系统中，尤其适用于需要高效率、小体积和良好热性能的设计场景。典型应用包括笔记本电脑、手机等消费类电子设备的AC-DC适配器与充电器，其中作为主开关管或辅助电源开关使用，帮助实现高能效和轻薄化设计。在LED照明驱动电源中，该器件可用于隔离式反激变换器拓扑，提供稳定的直流输出并满足严格的能效标准如Energy Star和DOE Level VI。
此外，它也常用于待机电源（standby power supply）和辅助电源（auxiliary rail）模块，在主电源关闭时仍保持部分电路供电，确保系统快速唤醒和低待机功耗。在工业电源和电信整流器中，7N65LL-TQ2-T可应用于PFC升压级或DC-DC转换级，提升整体系统功率因数并降低谐波干扰。由于其具备良好的高温工作能力和热稳定性，也可部署于环境温度较高的密闭设备中。总之，该器件适用于任何要求高电压、高效率、高可靠性的离线式电源拓扑结构。
AO7N65LL
STP7NK65ZFP
FQP7N65LTU
KSP7N65F2
FQU7N65LT
