类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600 V
　　最大漏极电流（ID）：33 A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.115 Ω
　　栅极电压（VGS）：±20 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（Ptot）：96 W

BUK7M33-60E,115 的主要特性之一是其较低的导通电阻（RDS(on)）为0.115Ω，这可以显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力（600V VDS）确保其在高压应用中的稳定运行。
　　此外，该MOSFET采用了先进的高压工艺技术，使其具备良好的雪崩能量耐受能力，从而提高器件在极端条件下的可靠性。其±20V的栅极电压容限也增强了其抗过压能力，降低了栅极驱动电路设计的复杂性。
　　该器件的热阻较低，封装热阻（Rth(j-c)）为1.56°C/W，确保其在高功率工作状态下的散热能力。此外，其TO-220封装形式便于安装散热片，进一步提升散热性能。
　　BUK7M33-60E,115 还具备快速开关特性，具有较低的开关损耗，适用于高频开关应用。其内部结构优化了寄生电容，降低了高频下的动态损耗，提升了整体系统效率。
　　最后，该MOSFET符合RoHS环保标准，无铅封装，适用于现代电子制造的环保要求。

BUK7M33-60E,115 广泛应用于多种高功率和高压场合。其主要应用包括：电源适配器、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电动工具和电机控制器、工业自动化设备以及照明系统中的电子镇流器。
　　在电源适配器中，该器件用于实现高效的功率转换，降低能耗并提升系统稳定性。在电机控制中，BUK7M33-60E,115 可作为功率开关，实现精确的转速和扭矩控制。
　　在工业自动化设备中，该MOSFET常用于继电器替代、负载开关控制和电源管理模块。此外，该器件也适用于太阳能逆变器和储能系统中的功率开关环节，以确保高效能和长期可靠性。
　　由于其优异的热性能和高频开关能力，BUK7M33-60E,115 也常用于高频电源转换器和开关电源（SMPS）中，用于提高系统的整体效率和稳定性。

STP30NM60ND, STW20NM60ND, FQA30N60, IRFGB40N60