工作电压范围：8V 至 20V
　　输出峰值电流：1A（拉电流）/ 1.2A（灌电流）
　　驱动能力：高边与低边独立驱动
　　开关频率支持：高达1MHz
　　传播延迟时间：典型值60ns
　　上升时间（典型值）：25ns（1000pF负载）
　　下降时间（典型值）：20ns（1000pF负载）
　　死区时间：内置防直通逻辑，约200ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOP-8

IPS5751S的核心特性之一是其高集成度的双通道栅极驱动架构，能够同时驱动高边N沟道MOSFET和低边N沟道MOSFET，显著提升电源转换效率并降低系统成本。该芯片采用电荷泵电路实现高边驱动，无需外部 bootstrap 电容充电路径中的额外二极管，内部已集成自举二极管，这不仅节省了PCB空间，还提高了长期使用的可靠性，避免因外部二极管老化或失效导致的系统故障。在驱动性能方面，IPS5751S提供对称的拉电流和灌电流能力，分别达到1A和1.2A，可快速充放电MOSFET栅极电容，从而减少开关损耗，提升整体能效。
　　另一个关键特性是其出色的抗干扰能力。IPS5751S在设计上优化了共模瞬态抗扰度（CMTI），可有效抑制高频开关噪声对控制信号的影响，确保在高dV/dt环境下仍能稳定工作。这对于工作在高频率、高功率密度环境下的电源系统尤为重要，如数据中心电源和电信整流器。此外，芯片内置精确的欠压锁定（UVLO）电路，当VDD供电电压低于设定阈值时会自动关闭输出，防止MOSFET在非正常电压下工作而导致损坏或效率下降。
　　为了增强系统安全性，IPS5751S集成了死区时间控制逻辑，防止高边与低边MOSFET同时导通造成“直通”短路。这一机制通过内部逻辑判断输入信号的变化边缘，在上下管切换过程中自动插入适当的延迟时间，避免电流冲击。同时，芯片具备热关断保护功能，当结温超过安全限值时会自动关闭输出，并在温度恢复后重新启动，提升了系统的鲁棒性。此外，IPS5751S支持宽范围输入逻辑电平兼容TTL和CMOS，便于与各种微控制器、PWM控制器连接，增强了系统设计的灵活性。

IPS5751S广泛应用于各类中高功率DC-DC转换器中，特别是在需要高效能和高可靠性的工业与通信领域。典型应用包括同步降压变换器（Buck Converter），其中IPS5751S作为驱动级控制两个N沟道MOSFET，替代传统的P沟道高边开关，大幅降低导通损耗，提升转换效率。在通信基站电源、路由器和交换机的板载电源系统中，IPS5751S被用于构建多相VRM（电压调节模块），以满足处理器和FPGA对动态响应和低纹波电压的需求。
　　此外，该芯片也适用于半桥和全桥拓扑结构的电源系统，如LLC谐振变换器、有源钳位反激变换器等，可用于服务器电源和高端UPS系统中。由于其具备高开关频率支持能力（可达1MHz），有助于减小磁性元件和滤波电容的体积，实现更高功率密度的设计。在新能源领域，IPS5751S还可用于太阳能逆变器中的DC-DC升压环节驱动电路，或作为电动汽车车载充电机（OBC）内的辅助电源驱动单元。
　　工业自动化设备中的电机驱动控制器、PLC电源模块以及大功率LED照明驱动电源也是IPS5751S的重要应用方向。在这些应用中，芯片的高集成度和内置保护功能大大降低了系统设计复杂度，提升了产品可靠性。同时，其SOP-8小型封装适合自动化贴片生产，有利于批量制造和成本控制。

IRS21844
　　LM5113
　　UCC27531
　　MAX20059