2SK3217-01MR 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于高频率开关电路和功率放大电路中。该器件采用小型表面贴装封装(SOT-89),适用于便携式设备、DC-DC转换器以及小型电源系统。该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度,适合高频操作环境。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):20V
最大栅源电压(Vgs):±12V
最大连续漏极电流(Id):100mA
导通电阻(Rds(on)):最大1.5Ω(在Vgs=4.5V时)
功率耗散(Pd):200mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-89
2SK3217-01MR MOSFET具有多项优势,首先是其低导通电阻特性,使得在导通状态下功率损耗较低,从而提高系统效率。
其次,该器件具备高开关速度,适合高频开关应用,有助于减小外围元件的尺寸,提高整体电路的响应速度。
此外,该MOSFET采用SOT-89封装,具有良好的热稳定性和机械强度,适合表面贴装工艺,提高了生产效率和可靠性。
该器件的栅极驱动电压范围较宽,在4.5V至10V之间均可正常工作,适用于多种驱动电路设计。
其工作温度范围较广(-55°C至+150°C),可在恶劣环境下稳定运行,适用于工业级和汽车电子应用。
此外,2SK3217-01MR在低电流应用中表现出色,适用于小型负载开关、信号切换和低功耗电源管理电路。
2SK3217-01MR MOSFET主要应用于以下领域:
在便携式电子产品中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,用于电源管理、电池切换和低功耗控制电路。
在DC-DC转换器中,作为高频开关元件,实现高效的电压变换功能。
在LED驱动电路中,用于控制LED的通断及亮度调节。
在电机控制和继电器驱动电路中,作为电子开关使用。
此外,它也适用于传感器接口电路、逻辑电平转换以及低功耗微控制器系统的外围电路设计。
由于其小型封装和高性能,2SK3217-01MR也常用于车载电子系统、工业自动化设备和消费类电子产品的电源管理模块。
2SK2313, 2SK3018, 2N3904, BSS138