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FGP5N60LS 发布时间 时间:2023/12/19 17:12:57 查看 阅读:164

产品种类: IGBT 晶体管

目录

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-220
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极击穿电压: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.8 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
集电极最大连续电流 Ic: 10 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
功率耗散: 83 W
封装: Tube
最大工作温度: + 125

最小工作温度: - 55

安装风格: Through Hole

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FGP5N60LS参数

  • 标准包装400
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型场截止
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.2V @ 12V,14A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)10A
  • 功率 - 最大83W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件