型号：7N60ZG-TQ2-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大连续漏极电流（ID）：7A（TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（ IDM）：28A
　　最大功耗（PD）：50W（TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（典型值，@VGS=10V, ID=3.5A）
　　阈值电压（VGS(th)）：3~5V（@ID=250μA）
　　输入电容（Ciss）：1100pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：190pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)
　　安装方式：表面贴装
　　符合RoHS标准：是

7N60ZG-TQ2-R具备多项关键特性，使其在高电压功率开关应用中表现出色。
　　首先，该MOSFET采用了先进的平面场截止技术，实现了600V的高漏源击穿电压，同时保持了相对较低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为1.2Ω（在VGS=10V时）。这种低RDS(on)特性显著减少了导通期间的能量损耗，提高了电源系统的整体能效，特别适用于强调节能与散热管理的设计。
　　其次，器件具有优化的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），有助于降低驱动电路的功耗并加快开关速度，从而减小开关过程中的动态损耗。这对于高频工作的开关电源尤为重要，例如在反激式转换器或有源钳位拓扑中，可以有效提升开关频率而不会导致效率大幅下降。
　　第三，7N60ZG-TQ2-R内置较强的雪崩能量耐受能力，能够在突发过压或负载突变情况下承受一定的能量冲击而不损坏，增强了系统的鲁棒性。此外，其良好的热阻特性（RθJC）确保了即使在较高功率密度下也能有效将热量从芯片传导至PCB，延长器件寿命。
　　再者，该器件采用TO-252（DPAK）封装，不仅支持自动贴片装配，还具备优良的机械强度和热稳定性。这种封装便于使用散热焊盘进行热管理，适合自动化大规模生产。
　　最后，7N60ZG-TQ2-R通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和湿度敏感等级测试，确保在各种严苛环境下长期稳定运行。这些综合优势使该器件成为消费类电源、工业电源及照明驱动等领域的理想选择。

7N60ZG-TQ2-R广泛应用于各类需要高效、高电压开关能力的电力电子系统中。
　　在消费电子领域，它常用于手机充电器、笔记本电脑适配器、LCD电视电源模块等AC-DC开关电源中，作为主开关管使用，特别是在反激式（Flyback）拓扑结构中表现优异。其高耐压和低导通损耗特性使得电源可以在宽输入电压范围内高效运行，并满足能源之星等能效认证要求。
　　在LED照明应用中，该MOSFET可用于恒流驱动电源，尤其是在隔离式LED驱动方案中担任初级侧开关角色，帮助实现高功率因数和低谐波失真，同时提升光效和灯具寿命。
　　在工业控制方面，7N60ZG-TQ2-R适用于小型逆变器、电机控制器、PLC电源模块以及智能电表内部的辅助电源电路，提供可靠的电压转换功能。
　　此外，它还可用于光伏微逆变器、电池管理系统（BMS）中的辅助电源以及家用电器如空调、洗衣机的电源部分。由于其具备良好的抗噪声干扰能力和温度稳定性，因此在电磁干扰较复杂的环境中依然能够稳定工作。
　　值得一提的是，该器件也适用于绿色能源和节能改造项目，例如在无刷直流电机（BLDC）驱动器或PFC（功率因数校正）升压电路中作为开关元件，帮助系统达到更高的能效等级。凭借其成熟的技术平台和广泛的适用性，7N60ZG-TQ2-R已成为众多工程师在中等功率段设计中的首选MOSFET之一。

STP7NK60ZFP
　　FQP7N60L
　　KSE7N60S2U