LRB411DLT1G 时间：2025/8/13 23:20:23 阅读：27

LRB411DLT1G 是一款由ON Semiconductor生产的双极性晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件广泛应用于各种电子电路中，如放大器、开关电路、功率调节和信号处理等场合。该晶体管采用SOT-23封装，具有体积小、功耗低、可靠性高等特点，适用于消费类电子、工业控制和汽车电子等领域。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50 V
　　最大发射极-基极电压（Veb）：5 V
　　最大基极电流（Ib）：5 mA
　　功率耗散（Pd）：300 mW
　　直流电流增益（hFE）：110（最小）@ Ic=2 mA, Vce=5V
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

LRB411DLT1G 具有优异的电气性能和稳定性，适用于多种应用场景。首先，其NPN结构使其在放大电路中表现出良好的线性度，适用于音频放大和信号处理。其次，该晶体管的最大集电极电流为100 mA，能够支持中等功率的开关应用，如继电器控制、LED驱动等。此外，该器件的最大集电极-发射极电压为50 V，使其适用于较高的电压环境，具有较强的耐压能力。
　　在封装方面，LRB411DLT1G 采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，适用于便携式电子产品和小型设备。其功率耗散为300 mW，在工作过程中产生的热量较小，有助于提高系统的稳定性和寿命。此外，该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于较宽的环境温度范围，适用于工业级和汽车级应用。

应用

LRB411DLT1G 的应用领域广泛，主要包括以下几个方面：
　　1. 放大电路：由于其良好的线性度和稳定的增益特性，该晶体管常用于音频放大器、信号放大器和传感器信号调理电路。
　　2. 开关电路：该晶体管可作为电子开关使用，适用于继电器控制、LED驱动、电机控制等场合。
　　3. 电源管理：在电源调节和稳压电路中，该晶体管可用于控制电流流动，提高电源系统的效率和稳定性。
　　4. 工业控制：由于其宽工作温度范围和高可靠性，该晶体管广泛应用于工业自动化控制系统中，如PLC、传感器接口和执行机构控制。
　　5. 汽车电子：该晶体管符合汽车电子应用的要求，适用于车载电子系统、照明控制、发动机控制单元等环境较为苛刻的场合。
　　6. 消费类电子产品：由于其SOT-23封装的小巧尺寸，该晶体管广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中。