型号：TN28F020-120
　　制造商：Toshiba
　　存储类型：NOR Flash
　　供电电压：2.7V ~ 3.6V / 5V 兼容
　　存储容量：16 Mbit (2 Mbyte)
　　组织结构：8 位数据总线
　　访问时间：120 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSOP-32, PLCC-32
　　擦除耐久性：100,000 次典型值
　　数据保持时间：10 年以上
　　编程电压：内部电荷泵生成所需高压
　　接口类型：并行异步接口
　　块结构：32 个扇区（每扇区 64 Kbyte）
　　待机电流：典型 50 μA
　　读取电流：典型 25 mA

TN28F020-120 的核心特性之一是其双电压兼容能力，支持在 3.3V 主电源下正常工作，同时保持与 5V 系统逻辑电平的兼容性，这使得它可以在新旧系统之间灵活过渡，尤其适用于从 5V 向 3.3V 迁移的设计中。这种设计大大增强了其在混合电压系统中的适用性，无需额外的电平转换电路即可直接连接到传统的微控制器或 DSP 芯片。
　　另一个显著特点是其快速读取性能。120ns 的地址访问时间确保了指令执行过程中能够高效地从闪存中获取代码，减少了 CPU 等待时间，提升了整体系统响应速度。这对于实时控制系统尤为重要，例如工业自动化设备中的 PLC 或远程终端单元（RTU），需要快速加载固件并立即投入运行。
　　该器件采用分块式存储架构，共包含 32 个独立可擦除的扇区，每个大小为 64 Kbyte。这种结构允许用户仅擦除需要更新的部分区域，而不影响其他已存储的数据或程序，提高了写操作的灵活性和安全性。同时，支持扇区保护功能，可通过软件设置防止意外写入或擦除关键代码段，如引导程序（Bootloader）。
　　内置的命令寄存器支持标准 JEDEC 协议，包括读 ID、读状态、扇区擦除、字编程、复位等操作，简化了开发过程中的驱动编写难度，并增强了与其他厂商类似产品的互换性。此外，器件集成了内部电荷泵，可在标准 Vcc 供电下完成编程和擦除所需的高压生成，无需外部提供高电压信号，降低了系统复杂度。
　　在可靠性方面，TN28F020-120 具备出色的耐久性和数据保持能力，标称可承受至少 10 万次擦写循环，在 -40°C 到 +85°C 的工业级温度范围内能保证十年以上的数据保存时间，满足严苛环境下的长期运行需求。低功耗待机模式也使其适用于电池备份或间歇工作的嵌入式设备。

TN28F020-120 广泛应用于各类需要非易失性程序存储的嵌入式系统中。一个典型应用场景是工业控制设备，例如可编程逻辑控制器（PLC）、人机界面（HMI）终端和智能传感器模块。这些设备通常需要在现场长期运行，并频繁加载相同的固件程序，而 TN28F020-120 提供了足够容量和高可靠性来存储启动代码和配置参数，且其抗干扰能力强，适合电磁环境复杂的工厂现场。
　　在通信基础设施领域，该芯片可用于路由器、交换机、调制解调器等网络设备中，作为 BIOS 或固件存储器。由于这些设备往往依赖稳定的代码运行以维持通信链路，因此对存储器的读取速度和稳定性有较高要求，TN28F020-120 的 120ns 快速访问时间和成熟的 NOR 架构正好满足这一需求。
　　此外，在医疗电子设备、测试测量仪器和航空电子系统中，该器件也被用作安全可靠的代码存储解决方案。特别是在需要通过认证的产品中，使用经过长期验证的老牌闪存型号有助于缩短认证周期和降低风险。
　　由于其 PLCC-32 和 TSOP-32 封装形式易于焊接和更换，TN28F020-120 也常被用于原型开发板、教学实验平台以及老旧设备的维修替换。即使在新型设计中逐渐被 SPI Flash 取代，但在系统升级、备件替换和逆向工程中仍然发挥着重要作用。

SST39VF020-120
　　M29W020B-120
　　AM29LV020B-120