时间：2022/9/29 17:12:47
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GD32F103VCT6，主频为108MHz，比市场同类产品提高了50%，提供了出色的处理性能。目前103系列片内闪存（Flash）最大为3072KB，RAM最大为96KB，供电电压范围为2.6V-3.6V，内核的供电电压为1.2V，I/O口可承受5V电平，内嵌实时时钟(RTC)和2个看门狗(WDG)，具有掉电复位(PDR)、上电复位(POR)及电压监测(LVD)功能。支持三相PWM互补输出和积分器的高级控制定时器可用于矢量控制，还拥有3个通用16位定时器。提供多达43个外部中断并可嵌套16个可编程优先级。
GD32F103VCT6，主频为108MHz，比市场同类产品提高了50%，提供了出色的处理性能。目前103系列片内闪存（Flash）最大为3072KB，RAM最大为96KB，供电电压范围为2.6V-3.6V，内核的供电电压为1.2V，I/O口可承受5V电平，内嵌实时时钟(RTC)和2个看门狗(WDG)，具有掉电复位(PDR)、上电复位(POR)及电压监测(LVD)功能。支持三相PWM互补输出和积分器的高级控制定时器可用于矢量控制，还拥有3个通用16位定时器。提供多达43个外部中断并可嵌套16个可编程优先级。
GD32系列还集成了丰富的外设功能，拥有USB OTG、CAN、LIN、EXMC接口支持8/16位外部总线扩展，还配备多达3个采样率为1MSPS 12位高速ADC、2个DAC、5个USART、3个SPI、2个I2C、多达80%的可用GPIO还支持端口重映射功能，极佳的灵活性满足多种应用需求。
由于拥有高速的CPU内核和GigaDevice gFlash?专利技术，全新的GD32产品系列实现了内核对Flash访问的零等待。根据Dhrystones和CoreMark测试结果，GD32的代码执行效率比市场同类产品提高30%-40%，最高主频下的处理性能可达110DMIPS。另外，还针对节能和电池供电等应用场合进行了优化，GD32提供了三种省电模式，同主频下的工作电流比市场同类产品降低20-30%，在最高主频下的全速运行功耗仅为1.05mW/MHz。
（1）使用寿命。寿命主要指以下2方面：单片机开发产品拥有良好的稳定性和较长的使用寿命，可以长时间稳定运行10年或是20多年；与微处理器相比拥有较长的使用寿命。
（2）运行速度。MUP发展中的主要是不断提升速度，主要是以时钟频率为主要标志，时钟频率逐渐增高。但是单片机却和MUP存在一定的差异，为了进一步提升单片机的抗干扰能力，减少噪音影响，单片机在发展过程中逐渐开始从降低时钟频率入手，为此不惜降低运算效率。
（3）高可靠性和低噪音技术。**是技术属于抗干扰技术，主要是振荡电路中的正弦信号被外部的环境所影响时，其所发出的波形就叠加各种毛刺信号，而人们在处理过程中也经常利用施密特电路进行，随后电路振荡毛刺就会变成触发信号干扰的时钟，交替利用RC滤波电路和施密特电路能够有效消除毛刺作用，让影响失效，促进系统时钟信号的顺利传输。
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 额外特性 | I2S | |
| UART/USART | 5 | |
| SPI | 3 | |
| USB Device | 1 | |
| PWM | 2 | |
| USB Host/OTG | 1 | |
| I2C（SMBUS/PMBUS） | 2 | |
| 工作电压 | 2.6V ~ 3.6V | |
| Ethernet | 0 | |
| EEPROM 尺寸 | 0 | |
| CAN | 1 | |
| A/D | 16x12bit | |
| D/A | 2x12bit | |
| CPU位数 | 32-Bit | |
| CPU内核 | ARM Cortex-M3 | |
| ROM尺寸 | 256KB | |
| RAM大小 | 48KB | |
| 主频（MAX) | 108MHz | |
| ROM类型 | FLASH | |
| I/O 数 | 80 |
