DTB113EK 时间：2025/12/25 11:08:16 阅读：19

DTB113EK是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道MOSFET晶体管，常用于便携式电子设备和高效率电源管理应用中。该器件采用小型表面贴装封装（S-Mini），适合空间受限的电路设计。DTB113EK的主要特点是低导通电阻、快速开关性能以及良好的热稳定性，使其在负载开关、DC-DC转换器、电池供电系统等场景中表现出色。该MOSFET通过优化栅极结构实现了较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗并提高整体能效。此外，其封装形式具备良好的散热能力，并能在较宽的工作温度范围内稳定运行，适用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、无线耳机和其他移动设备中的电源控制模块。
　　DTB113EK的设计注重小型化与高性能之间的平衡，能够在有限的空间内提供可靠的电流切换能力。它通常与其他逻辑控制电路或驱动器配合使用，以实现对电源路径的有效管理。由于采用了先进的半导体制造工艺，该器件具有较高的击穿电压裕度和抗静电能力，增强了系统的鲁棒性。同时，其无铅环保封装符合RoHS指令要求，满足现代电子产品对环境友好材料的需求。工程师在选用此类器件时需关注其最大漏源电压、连续漏极电流、功耗及热阻参数，以确保在目标应用中安全可靠地工作。

参数

型号：DTB113EK
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：S-Mini
　　极性：N-Channel
　　漏源电压(Vdss)：20V
　　连续漏极电流(Id)：1A
　　脉冲漏极电流(Id_pulse)：4A
　　导通电阻(Rds(on))：85mΩ @ Vgs=4.5V, Id=1A
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：290pF @ Vds=10V
　　反向恢复时间(trr)：未指定
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　功率耗散(Pd)：300mW
　　极性极性：增强型
　　安装方式：表面贴装

特性

DTB113EK作为一款高性能的小信号N沟道MOSFET，具备多项优异的技术特性，适用于多种低电压、低功耗应用场景。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为85mΩ，在Vgs=4.5V条件下可有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。这对于电池供电设备尤为重要，能够延长续航时间。其次，该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使得在高频开关操作中所需的驱动能量更少，从而提高了开关速度并减少了动态损耗，特别适合用于DC-DC转换器、同步整流和负载开关电路。
　　另一个显著特点是其稳定的阈值电压范围（1.0V ~ 2.0V），确保了在不同工作条件下都能实现可靠的开启与关断控制。这一特性使其兼容多种逻辑电平信号源，例如3.3V或1.8V的微控制器输出，无需额外的电平转换电路即可直接驱动。此外，DTB113EK采用S-Mini封装，尺寸紧凑（典型为1.6mm × 1.6mm × 0.55mm），非常适合高密度PCB布局，尤其在便携式消费电子产品中极具优势。
　　热性能方面，该器件具备良好的热稳定性和散热能力，最大结温可达+150°C，能够在高温环境下持续工作而不发生性能退化。其300mW的功率耗散能力在同类小型封装中表现良好。同时，产品符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色制造流程。综合来看，DTB113EK凭借其小尺寸、高效能和高可靠性，成为许多电源管理设计中的理想选择。

应用

DTB113EK广泛应用于需要高效、小型化电源开关控制的电子设备中。常见用途包括移动终端中的负载开关，用于控制显示屏、摄像头模组或传感器模块的供电通断，以实现节能待机或按需供电功能。此外，它也常用于DC-DC升压或降压转换器的同步整流部分，替代传统二极管以减少正向压降和功耗，从而提高转换效率。在电池管理系统中，该MOSFET可用于充放电路径的通断控制，防止反向电流流动并实现过流保护。
　　由于其良好的开关特性和低阈值电压，DTB113EK还适用于由微控制器GPIO直接驱动的应用场景，如LED背光调光、外设电源使能控制以及USB接口的限流开关等。在可穿戴设备如智能手表、TWS耳机中，其小型封装和低功耗特性尤为突出，有助于缩小整机体积并延长电池使用时间。此外，该器件也可用于各种便携式医疗设备、传感器模块和IoT节点的电源管理单元中，提供快速响应和高可靠性的开关控制能力。总之，凡是需要在有限空间内实现高效、低噪声电源切换的场合，DTB113EK都是一种极具竞争力的选择。