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IS49NLC93200-25BLI 发布时间 时间:2025/12/28 17:32:20 查看 阅读:19

IS49NLC93200-25BLI 是一个由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片设计用于需要高速访问和低功耗的系统,常用于通信设备、网络设备和工业控制等领域。

参数

类型:SRAM
  容量:9MB(1M x 9)
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  最大访问时间:25ns
  封装类型:54引脚 TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 85°C
  接口类型:并行
  读取电流:典型值为 100mA
  待机电流:典型值为 10mA

特性

IS49NLC93200-25BLI SRAM 芯片具备高速访问和低功耗的特性。其最大访问时间为25ns,允许在高速应用中快速获取数据。该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,使其适用于多种电源设计。其TSOP封装形式和紧凑的尺寸使其适用于空间受限的设计。芯片的-40°C至85°C宽工作温度范围确保了其在恶劣环境下的可靠性。
  此外,该芯片的接口为并行接口,支持高效的数据传输。其典型的读取电流为100mA,而待机电流仅为10mA,有助于降低系统整体的功耗。IS49NLC93200-25BLI 通常用于需要稳定存储和快速访问的场景,如数据缓存、高速缓冲存储器和嵌入式系统设计中。

应用

IS49NLC93200-25BLI 广泛应用于网络设备、通信系统、工业控制设备和测试仪器等需要高速、低功耗SRAM的场合。

替代型号

IS49L93200-25BLI, CY62148VLL-25ZS

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IS49NLC93200-25BLI参数

  • 制造商ISSI
  • 数据总线宽度9 bit
  • 组织32 Mbit x 9
  • 封装 / 箱体BGA-144
  • 存储容量288 Mbit
  • 最大时钟频率400 MHz
  • 访问时间2.5 ns
  • Supply Voltage - Max1.9 V
  • Supply Voltage - Min1.7 V
  • 最大工作电流408 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量104