时间：2025/9/1 9:50:41
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IS43TR16128DL-125KBLI-TR 是由 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的一款高性能异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件采用先进的CMOS工艺制造，提供高速数据访问、低功耗操作以及宽温度范围，适用于工业级和商业级应用。该SRAM的存储容量为16Mbit（128K x 16位），采用异步访问方式，适用于需要快速随机访问的场合。
容量：16Mbit (128K x 16)
电源电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：12ns（最大）
工作温度：-40°C 至 +85°C（工业级）
封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
封装引脚数：54
数据总线宽度：16位
封装尺寸：54-TSOP
封装材料：无铅环保材料
封装热阻：符合JEDEC标准
封装高度：1.2mm 最大
封装安装方式：表面贴装（SMD）
读取电流（典型值）：120mA @ 55MHz
待机电流（典型值）：10mA
输出驱动能力：8mA
输入/输出电容：6pF（最大）
IS43TR16128DL-125KBLI-TR 是一款高性能异步SRAM，具备高速访问能力和低功耗特性。其12ns的访问时间使其适用于高速缓存、数据缓冲和实时系统等需要快速响应的应用场景。该器件支持异步操作，无需时钟信号，简化了系统设计。其宽电压范围（2.3V 至 3.6V）使其兼容多种电源管理系统，并可在不同电压环境下稳定运行。此外，该芯片的工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于严苛的工业环境，如工业控制、通信设备和嵌入式系统。
该SRAM采用先进的CMOS工艺，具有低功耗待机模式，可在系统不活跃时大幅降低功耗。其54-TSOP封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产和表面贴装工艺。该芯片的16位数据总线宽度提供了更高的数据吞吐能力，适合需要高带宽的应用。此外，该芯片的电气特性稳定，具有较高的抗干扰能力和可靠性，适用于对稳定性要求较高的应用环境。
在引脚定义方面，该SRAM芯片支持多种控制信号，如地址锁存使能（ADV）、写使能（WE）、输出使能（OE）等，使得其在多种微处理器系统中可以灵活配置。其异步接口设计使得它能够与多种处理器和控制器无缝连接，广泛应用于通信设备、工业自动化、消费电子以及汽车电子等领域。
IS43TR16128DL-125KBLI-TR 主要用于需要高速数据存取和低功耗特性的应用场合。例如，在通信设备中，它可作为高速缓存用于存储临时数据；在工业控制系统中，它可以作为主存储器或缓冲器，提升系统响应速度；在消费电子产品中，可用于图像处理、音频缓冲等应用。此外，该芯片还广泛应用于嵌入式系统、便携式设备、测试设备以及汽车电子控制系统中，为需要快速数据存取的系统提供可靠的存储解决方案。
IS42S16100BL-125KBLI-TR, CY7C1041EJV18-12BAE, IDT71V128SA12PFGI, AS7C31026EC-12BCBTR-T
