类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：5A
　　最大漏源电压：65V
　　最大栅源电压：±20V
　　工作频率范围：最高可达500MHz
　　输出功率：典型值为125W（在500MHz时）
　　增益：典型值为14dB
　　漏极效率：典型值为70%
　　封装类型：陶瓷双列直插封装（Ceramic DIP）

RF5111SB具有多个显著的技术特点。首先，它采用先进的MOSFET技术，使其在高频环境下仍能保持良好的放大性能。其高增益特性（典型值为14dB）使得该器件在射频功率放大器中表现出色，能够有效放大输入信号而不需要额外的前级放大电路。
　　其次，RF5111SB具备较高的输出功率能力，典型值为125W，适用于需要高功率输出的射频系统。该器件的漏极效率高达70%，这意味着其在工作过程中能量转换效率较高，减少了热损耗，提高了系统的整体效率。
　　此外，RF5111SB采用陶瓷双列直插封装，这种封装方式具有良好的热传导性能和机械稳定性，有利于器件在高功率运行时的散热管理，延长了器件的使用寿命。其封装结构还具备良好的射频性能，减少了寄生电容和电感，提高了高频响应能力。
　　该器件的热稳定性也十分出色，能够在高温环境下保持稳定的工作状态，适用于各种严苛的工业和通信应用环境。

RF5111SB主要用于高频射频功率放大器的设计中，适用于广播发射机、工业加热设备、射频测试仪器以及无线通信系统等应用场景。在广播系统中，该器件可用于调频广播发射器的末级功率放大电路，提供高稳定性和高效率的输出。
　　在工业应用中，RF5111SB可用于射频加热和等离子体发生设备，作为高频电源的功率放大元件。由于其高效率和高可靠性，该器件在这些设备中可以实现更高的能量转换效率，降低运行成本。
　　此外，该器件也可用于射频测试设备中的信号放大模块，为射频测试和测量提供稳定的高功率输出。在无线通信系统中，RF5111SB可作为基站或中继器的射频功率放大器，支持多种通信标准下的高功率信号传输。

RF5112SB, RF5110SB, MRF151G