时间：2025/7/11 17:37:34
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HH03N100G500CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管。该器件专为高频率、高效率应用场景设计，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于开关电源、DC-DC转换器、无线充电及电机驱动等应用领域。
此型号采用了先进的GaN工艺制造，能够显著降低功率损耗并提升系统性能，同时其封装形式紧凑，便于在空间受限的设计中使用。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：50A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：70nC
开关频率：最高可达5MHz
结温范围：-55℃至+150℃
HH03N100G500CT 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻，有效减少导通损耗。
2. 快速开关速度，支持高频工作以缩小无源元件尺寸。
3. 高效热管理能力，确保在高负载条件下的稳定性。
4. 内置保护功能，如过流保护和短路保护，增强可靠性。
5. 封装紧凑，有助于简化PCB布局和降低成本。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品的合规性要求。
该芯片广泛应用于以下场景：
1. 开关模式电源（SMPS），例如服务器和通信设备中的电源模块。
2. DC-DC转换器，用于笔记本电脑适配器和电动车充电设备。
3. 无线充电系统，提供更高效的能量传输。
4. 激光雷达和其他需要高频驱动的应用。
5. 各类工业控制和消费类电子产品中的功率级驱动部分。
HH03N100G400CT, HH03N100G600CT
