型号：7N60LL-TQ2-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600 V
　　最大漏极电流（Id）：7 A
　　最大功耗（Pd）：50 W
　　导通电阻（Rds(on)）：1.1 Ω（@ Vgs = 10 V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3 V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：800 pF（@ Vds = 25 V）
　　输出电容（Coss）：180 pF（@ Vds = 25 V）
　　反向恢复时间（trr）：45 ns
　　工作温度范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：TO-252 (D-Pak)
　　极性：N-Channel
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是

7N60LL-TQ2-R采用安森美独有的超结（Super Junction）技术，显著提升了器件在600V高压应用中的性能表现。该技术通过在漂移区构造交替的P型和N型柱状结构，打破了传统MOSFET导通电阻与击穿电压之间的折衷关系，使得在保持高耐压的同时大幅降低导通电阻（Rds(on)），从而有效减少导通状态下的功率损耗。这种结构优化对于提高开关电源的整体效率至关重要，尤其是在轻载和满载条件下都能维持较高的能效水平。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这直接降低了开关过程中的驱动损耗，并允许更高的开关频率运行，有助于减小磁性元件和电容的体积，实现电源系统的小型化设计。同时，低Qgd还能减少因寄生电感引起的电压尖峰，提高系统在高频开关下的稳定性与可靠性。
　　7N60LL-TQ2-R具备优异的开关特性，包括快速的开启和关断速度，配合较短的反向恢复时间（trr），可显著降低与之并联的续流二极管或体二极管在换流过程中的能量损耗，抑制电磁干扰（EMI）的产生。这对于要求高EMI兼容性的应用如医疗设备、工业控制和消费类电子产品尤为重要。
　　其TO-252封装不仅支持表面贴装工艺，还提供了良好的散热性能，便于PCB布局和自动化生产。封装内部的热阻（Rth）较低，有助于将芯片产生的热量快速传导至PCB，延长器件寿命并提升长期运行的可靠性。此外，该MOSFET具备较强的雪崩耐量，能够承受一定程度的电压过冲和能量冲击，适用于存在电压瞬变风险的电网环境。
　　总体而言，7N60LL-TQ2-R凭借其高性能参数、稳健的结构设计和优良的热管理能力，成为现代高效能电源系统中理想的功率开关器件选择。

7N60LL-TQ2-R广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适用于需要高电压隔离和高效能转换的场景。典型应用包括通用交流-直流（AC-DC）离线式电源适配器，如笔记本电脑充电器、LCD电视电源模块以及家用电器的辅助电源单元。由于其具备600V耐压和7A连续漏极电流能力，特别适合用于单端反激（Flyback）、正激（Forward）及有源钳位反激等拓扑结构的主开关器件。
　　在LED照明领域，该器件常用于大功率LED驱动电源中，支持恒流输出和高功率因数校正（PFC）前级电路，满足能源之星和欧盟ERP指令对能效等级的要求。其低导通电阻和快速开关特性有助于减少发热，提升灯具的可靠性和使用寿命。
　　此外，7N60LL-TQ2-R也适用于工业电源系统，如PLC电源模块、小型逆变器、UPS不间断电源中的待机电源部分，以及智能电表的电源管理单元。在这些应用中，器件的高可靠性、宽工作温度范围和抗干扰能力确保了系统在复杂电磁环境下的稳定运行。
　　由于其符合RoHS和无铅工艺要求，7N60LL-TQ2-R也适用于出口型电子产品和绿色能源项目，满足全球市场的环保法规需求。结合其成本效益和成熟的技术平台，该MOSFET已成为许多电源设计师在中端功率段（50W–200W）的首选器件之一。

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　　 "FQP7N60L",
　　 "STP7NK60ZFP",
　　 "2SK3569",
　　 "K2742",
　　 "IRFBC40"
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