CXK58257M10L 是一款由国产厂商设计和生产的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有高速读写能力,适用于需要高性能存储解决方案的各种电子设备。其常见的封装形式为TSOP,适合用于工业控制、通信设备、消费电子产品和嵌入式系统等应用场景。
容量:256K x 8位
电压范围:2.3V 至 3.6V
访问时间:10ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSOP
引脚数量:54
封装尺寸:5.0mm x 7.0mm
读取电流(最大):160mA
待机电流(最大):10mA
CXK58257M10L SRAM芯片具有多项优异的性能特点,确保其在多种应用场景中稳定可靠地工作。首先,该芯片具有高速访问能力,其访问时间仅为10ns,使其能够满足对数据存取速度要求较高的应用需求,如高速缓存、实时数据处理等场景。其次,芯片支持宽电压范围供电(2.3V 至 3.6V),适应不同的电源设计,提高了其在不同系统中的兼容性。此外,CXK58257M10L 支持低功耗模式,在待机状态下电流消耗极低(最大10mA),适用于对功耗敏感的便携式设备和电池供电系统。
在环境适应性方面,该芯片可在-40°C 至 +85°C的工业级温度范围内正常工作,适用于工业控制、车载电子和户外通信设备等严苛环境下的应用。其TSOP封装形式不仅体积小巧,便于在高密度PCB设计中布局,还能有效提升芯片的散热性能,延长使用寿命。同时,该芯片具备较强的抗干扰能力,确保在复杂电磁环境下仍能保持数据的完整性和稳定性。
从可靠性角度来看,CXK58257M10L 采用了先进的CMOS制造工艺,具备较高的耐用性和长期稳定性,能够承受频繁的读写操作而不会出现性能衰减。此外,其54引脚的封装设计提供了良好的电气连接,降低了信号干扰的风险,提高了整体系统的运行效率。
CXK58257M10L SRAM芯片广泛应用于多个领域,尤其适合对数据存取速度和稳定性要求较高的场景。其主要应用包括但不限于以下方面:工业自动化控制系统中的数据缓存和临时存储;网络与通信设备中用于高速数据包缓冲和处理;嵌入式系统的主存储器或高速缓存;便携式电子设备(如手持终端、智能穿戴设备)中的低功耗数据存储;以及汽车电子系统中用于实时数据记录和处理。此外,该芯片还可用于测试测量仪器、医疗设备和安防监控系统等对可靠性和性能要求较高的领域。
IS62WV2568GBLL-10BLI, CY62148EV30LL-10T, IDT71V416S10PFG, A2B514A, CY7C1041CV33-10ZSXI