时间：2025/5/10 14:48:42
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IPD380P06NM 是一款高性能的 N 沃特功率 MOSFET，采用先进的制程工艺制造。该器件适用于高效率开关电源、电机驱动和负载切换等应用。它具有低导通电阻（Rds(on)）、快速开关速度和高电流处理能力等特点，能够显著提升系统的效率并降低功耗。
该产品属于 Infineon 的 P沟道 MOSFET 系列，主要面向汽车电子和工业控制领域，具备优异的热性能和可靠性。
类型：P沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：-38A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ (典型值，在 Vgs=-4.5V 时)
栅极电荷(Qg)：17nC (典型值)
总功耗(Ptot)：185W
结温范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-Leadless (TOLL)
IPD380P06NM 提供了非常低的导通电阻，这使得其在高电流应用中表现出色，并且减少了功率损耗。此外，它的快速开关能力和低栅极电荷有助于减少开关损耗，提高系统整体效率。
这款器件还具有出色的雪崩能力和抗静电能力，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。得益于其 TO-Leadless 封装，IPD380P06NM 可以实现高效的散热管理，同时支持表面贴装技术(SMT)，从而简化了生产流程并提高了可靠性。
由于采用了 Infineon 的先进设计，该器件在动态性能和静态性能之间达到了良好的平衡，使其成为多种高压和大电流应用场景的理想选择。
IPD380P06NM 主要用于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流
2. 工业设备中的负载开关
3. 电动工具和家用电器的电机驱动
4. 汽车电子中的 DC-DC 转换器
5. 电池管理系统(BMS)中的保护电路
6. 高效功率转换模块
这些应用充分利用了 IPD380P06NM 的低导通电阻、高效率和紧凑封装优势。
IPB380P06N4L, IRF9540NPbF, FDP067N06L
