TPS22965QWDSGTQ1 是一款高性能、低功耗的负载开关芯片,适用于需要精确控制电源路径的各种应用。该器件通过提供快速的开启和关闭功能,有效地减少了系统中的静态电流损耗,并提高了整体效率。其封装形式为小型的 WDSGT QFN 封装,适合空间受限的设计环境。
TPS22965QWDSGTQ1 集成了一个 N 沟道 MOSFET 和控制电路,能够支持高达 5.5V 的输入电压范围,同时具备过流保护和热关断功能,确保在异常情况下不会损坏设备。
输入电压范围:1.8V 至 5.5V
最大输出电流:3A
导通电阻(Rds(on)):40mΩ
静态电流:1μA
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装类型:WDSGT QFN
TPS22965QWDSGTQ1 具有以下显著特点:
1. 内置功率 MOSFET,减少外部元件数量,简化设计流程。
2. 极低的导通电阻(40mΩ),可有效降低导通损耗并提升系统效率。
3. 支持软启动功能,防止上电时产生浪涌电流对系统的影响。
4. 提供精准的使能控制,用户可以通过逻辑信号直接控制开关状态。
5. 内置过流保护和热关断机制,增强了系统的可靠性。
6. 宽工作电压范围(1.8V 至 5.5V),适应多种电源应用场景。
7. 超低静态电流(1μA),非常适合电池供电的便携式设备。
该芯片广泛应用于消费类电子产品和工业领域,具体包括:
1. 移动设备(如智能手机、平板电脑等)的电源管理模块。
2. 可穿戴设备中的高效电源切换。
3. USB 接口的电源保护和分配。
4. 工业自动化系统中的负载控制。
5. 通信设备中用于隔离不同电源域的场景。
6. 任何需要低功耗、高效率电源切换的应用场合。
TPS22918, TPS22964