RF5422TR13 时间：2025/8/16 4:44:31 阅读：9

RF5422TR13 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）生产的射频（RF）功率晶体管，采用 GaAs（砷化镓）异质结双极晶体管（HBT）技术制造。该器件专为高功率和高频率应用而设计，适用于无线基础设施、基站放大器、工业和军事通信系统等高要求领域。RF5422TR13 采用表面贴装封装（SMT），具有良好的热管理和可靠性，适合在苛刻环境中使用。

参数

工作频率：850 MHz - 940 MHz
　　输出功率：30 W（典型值）
　　增益：18 dB（典型值）
　　效率：50%（典型值）
　　电源电压：+28 V（典型值）
　　输入驻波比（VSWR）：<2.0:1
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

RF5422TR13 具有出色的射频性能和高可靠性，适用于多种通信系统。其 GaAs HBT 技术确保了在高频下的高功率输出和稳定性。该器件在 850 MHz 至 940 MHz 频率范围内工作，能够提供高达 30 W 的输出功率，适合用于蜂窝通信基站和工业设备的功率放大器设计。RF5422TR13 的高增益（18 dB）和高效能（50% 效率）特性使其在功耗和散热管理方面表现出色。此外，该器件的输入驻波比低于 2.0:1，表明其具有良好的阻抗匹配能力，从而减少了信号反射，提高了系统的整体性能。其表面贴装封装便于自动装配，同时具备良好的热传导性能，有助于提高器件的稳定性和使用寿命。
　　RF5422TR13 的设计支持在宽温度范围内稳定工作，适应从 -40°C 到 +85°C 的极端环境条件，适用于户外和工业级应用场景。器件内部还集成了必要的保护机制，如过热保护和电流限制，确保在异常条件下仍能保持安全运行。此外，RF5422TR13 与其他 RFMD（Qorvo）的射频功率晶体管具有良好的兼容性，便于系统设计和升级。