749010013 时间：2025/8/8 5:54:56 阅读：22

749010013 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频开关应用，适用于电源管理和电机控制等场景。其主要特点是低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，使其在各种工业和消费电子设备中广泛应用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：26A
　　导通电阻(Rds(on))：45mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散(Pd)：160W

特性

749010013 MOSFET 具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下的低功耗，从而提高了整体系统的效率。此外，该器件能够承受高达 60V 的漏源电压，适用于多种中高功率应用场景。
　　其次，749010013 的最大连续漏极电流为 26A，能够在负载较重的情况下保持稳定工作。同时，其栅极驱动电压范围宽，支持在 10V 至 20V 之间的栅极驱动，使得与不同类型的驱动电路兼容性更高。
　　该 MOSFET 采用 TO-220 封装形式，具备良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。此外，其工作温度范围从 -55°C 到 +175°C，适应性强，适用于严苛的工业环境。
　　最后，749010013 具有良好的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过电压条件下保持器件的安全运行，从而提高了系统的可靠性和寿命。

应用

749010013 主要应用于各种电源管理系统，如直流-直流转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路。在电源管理方面，该器件适用于高效率降压（Buck）和升压（Boost）转换器，提供稳定且高效的电能转换。
　　此外，749010013 还广泛用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统中，作为高效的功率开关器件。其高耐压和大电流能力使其在电动汽车和混合动力汽车的功率控制模块中也有应用潜力。
　　在消费类电子产品中，749010013 可用于高性能电源适配器、LED 照明驱动电路以及智能家电的电机控制部分。其高可靠性和良好的热性能使其在长时间运行的设备中表现出色。