时间：2025/7/8 19:28:12
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2N7002G-AE2-R 是一款增强型 N 河道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛用于各种电子电路中，能够提供高效的开关和放大功能。其设计旨在支持低电压应用，具有较低的导通电阻和较快的开关速度。
2N7002 系列器件在便携式设备、电池供电系统以及通信设备中非常常见，适合驱动小型电机、LED 和其他负载。此型号为 2N7002 的一种封装变体，具体为表面贴装 SO-8 封装。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：200mA
脉冲漏极电流：1A
导通电阻（Rds(on)）：3.4Ω（典型值，Vgs=10V时）
总功耗：400mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
2N7002G-AE2-R 具有以下关键特性：
1. 增强型结构，仅在正向栅源电压下导通。
2. 较低的导通电阻，有助于减少功率损耗。
3. 快速开关能力，适合高频应用。
4. 小型 SO-8 封装，易于集成到印刷电路板 (PCB) 中。
5. 高输入阻抗，便于与数字逻辑电路接口。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
该芯片适用于多种应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源中的同步整流。
2. 电池保护电路。
3. 信号电平转换。
4. 负载切换控制。
5. 小功率 DC/DC 转换器。
6. 数据通信线路保护。
7. 低功耗便携式设备的电源管理模块。
2N7002KTR, BSS138, PMV20EN
