时间：2025/5/23 2:51:45
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FDC796N是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点，适用于各种开关电源、电机驱动、负载开关等应用领域。
这款MOSFET特别适合要求高效能和低功耗的场景，其出色的性能参数使其成为许多电子电路设计中的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻（典型值）：80mΩ
栅极电荷：3.9nC
开关时间：ton=12ns，toff=31ns
工作结温范围：-55℃至150℃
FDC796N具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低导通损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频开关应用。
3. 高击穿电压确保在高压环境下具备良好的稳定性。
4. 小尺寸TO-252封装，节省PCB空间并简化散热设计。
5. 良好的热稳定性和电气性能，适应宽广的工作温度范围。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
FDC796N广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电池管理及保护电路
4. 电机驱动与控制
5. 负载开关
6. 各类消费电子产品中的功率控制模块
由于其高性能表现和可靠性，这款MOSFET在工业控制、通信设备以及家用电器等领域也有广泛应用。
FDP796N, IRF796N
