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FDC796N 发布时间 时间:2025/5/23 2:51:45 查看 阅读:17

FDC796N是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252封装形式。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点,适用于各种开关电源、电机驱动、负载开关等应用领域。
  这款MOSFET特别适合要求高效能和低功耗的场景,其出色的性能参数使其成为许多电子电路设计中的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:4.1A
  导通电阻(典型值):80mΩ
  栅极电荷:3.9nC
  开关时间:ton=12ns,toff=31ns
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

FDC796N具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低导通损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关速度,适合高频开关应用。
  3. 高击穿电压确保在高压环境下具备良好的稳定性。
  4. 小尺寸TO-252封装,节省PCB空间并简化散热设计。
  5. 良好的热稳定性和电气性能,适应宽广的工作温度范围。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

FDC796N广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电池管理及保护电路
  4. 电机驱动与控制
  5. 负载开关
  6. 各类消费电子产品中的功率控制模块
  由于其高性能表现和可靠性,这款MOSFET在工业控制、通信设备以及家用电器等领域也有广泛应用。

替代型号

FDP796N, IRF796N

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FDC796N参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫欧 @ 12.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1444pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-SSOT 扁平引线,SuperSOT?-6 FLMP
  • 供应商设备封装6-SSOT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDC796NTRFDC796N_NLFDC796N_NLTRFDC796N_NLTR-ND