时间：2025/8/7 9:29:33
阅读：27
6SD106EI是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的沟槽栅技术，提供较低的导通电阻和快速的开关特性，使其在高频率开关电源、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用中表现出色。6SD106EI封装在PowerFLAT 5x6封装中，具备良好的热管理和空间节省优势。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大漏极电流（ID）@25°C：80A
导通电阻（RDS(on)）：最大值10.6mΩ @ VGS=10V
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V至4.0V
最大功耗（Ptot）：100W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6
输入电容（Ciss）：约2800pF @ VDS=25V
6SD106EI采用了STMicroelectronics先进的沟槽栅技术，使得导通电阻更低，从而减少了导通损耗，提高了效率。其低RDS(on)特性使其在高电流应用中表现优异，同时具备较高的耐压能力，适用于多种电源管理场景。该器件的封装设计提供了良好的散热性能，能够在高功率密度设计中保持稳定运行。
此外，6SD106EI具有快速开关能力，减少了开关损耗，在高频应用中尤为有利。其栅极电荷较低，有助于提高开关速度并减少驱动电路的负担。该MOSFET还具备较强的雪崩能量承受能力，提高了在高应力工作环境下的可靠性。
6SD106EI适用于多种功率电子设备，包括但不限于以下应用：DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统、工业自动化设备、服务器电源和汽车电子系统。在这些应用中，它能够有效提升系统效率和可靠性，同时减小电路板空间占用。
STL110N6F7、IPD60R1K4PFD、IRF1324S-7PPBF
