时间：2025/4/25 18:50:27
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GMC04CG200K25NT是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频应用中提供高效的性能表现。
这款器件属于沟道型MOSFET，能够承受较高的电压，并且具备出色的热稳定性和可靠性。其封装形式为行业标准类型，便于集成到各种电路设计中。
型号：GMC04CG200K25NT
类型：N-Channel MOSFET
漏源极击穿电压(Vds)：200V
连续漏极电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：40mΩ
栅极电荷(Qg)：80nC
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
GMC04CG200K25NT的主要特性包括：
1. 高耐压能力：该器件可支持高达200V的漏源极电压，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻：在典型工作条件下，其导通电阻仅为40mΩ，从而降低了传导损耗，提高了效率。
3. 快速开关性能：由于其较低的栅极电荷（80nC），该器件可以实现快速开关，适用于高频电路。
4. 热稳定性强：器件能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能，适应各种恶劣环境。
5. 可靠性高：经过严格测试，确保在长时间运行中的可靠性和耐用性。
6. 易于使用：标准的TO-247封装形式使其易于安装和散热设计。
GMC04CG200K25NT适用于以下应用场景：
1. 开关电源(SMPS)：作为主开关管，用于DC-DC转换器或AC-DC适配器。
2. 电机驱动：用于控制直流无刷电机或其他类型的电机，提供高效的动力传输。
3. 工业设备：如逆变器、UPS系统等需要高压大电流处理能力的场合。
4. 能量存储系统：例如电池管理系统(BMS)，用作充电/放电路径上的开关。
5. 其他电力电子领域：包括负载切换、继电器替代以及固态继电器等功能模块。
GMC04CG200K25L, IRF250, STP25NF20
