时间：2024/3/27 15:24:34
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6ED003L02-F2是全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOSFET或igbt等功率器件，最大阻塞电压为+600V。所采用的soi技术对暂态电压具有良好的坚固性。6ED003L02-F2中不存在寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闭锁。六个独立的驱动器被控制在低侧使用CMOS响应。LSTTL兼容信号，低至3.3V逻辑。装置包括具有迟滞特性的欠压检测单元和过流检测。过流电平是通过选择电阻值和引脚ITRIP的阈值电平来调整的。这两种错误条件(欠压和过流)导致所有六个开关明确关闭。在FAULT开漏输出引脚处提供一个错误信号。过流后的阻塞时间可通过引脚RCIN上的rc网络进行调整。输入RCIN拥有一个2.8μA的内部电流源。因此，电阻RRCIN是可选的。典型的输出电流可以给出165mA的上拉和375mA的下拉。
英飞凌薄膜soi技术
最大阻断电压+600 V
输出源/汇电流+0.165 A/-0.375 A
电桥输出对负不敏感
soittechnology提供的瞬态电压可达- 50v
所有六个驱动器单独的控制电路
检测过流和欠压电源
外部可编程延迟故障清除后
过电流检测
在错误条件下“关闭”所有开关
各相位信号联锁，防止交叉传导
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| 商品分类 | 栅极驱动IC | 品牌 | Infineon(英飞凌） |
| 封装 | PG-TSSOP-28 | 包装 | 圆盘 |
6ED003L02-F2原理图
6ED003L02-F2引脚图
6ED003L02-F2封装
