时间：2025/4/28 20:38:24
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IPP60R180P7是由Infineon（英飞凌）生产的一款N沟道功率MOSFET，采用PQFN5x6-8封装。该器件适用于高频开关应用，具有低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于电源管理、电机驱动以及DC-DC转换器等场景。
这款MOSFET的设计旨在优化效率和性能，特别适合在高频率和高电流条件下运行的系统中使用。
型号：IPP60R180P7
类型：N-channel MOSFET
封装：PQFN5x6-8
Vds（漏源极电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：180mΩ（典型值，Vgs=10V时）
Id（连续漏极电流）：10A
总栅极电荷：9nC
输入电容：530pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
功耗：24W
IPP60R180P7采用了先进的制造工艺，具备以下关键特性：
1. 高效的开关性能：其低导通电阻和低栅极电荷确保了高效的开关操作，减少能量损耗。
2. 紧凑型封装：PQFN5x6-8封装使其能够节省PCB空间，非常适合紧凑型设计。
3. 宽工作温度范围：从-55°C到+175°C的工作温度范围使得它能够在恶劣环境下稳定运行。
4. 快速开关速度：得益于低总栅极电荷和输入电容，开关速度得以提升，从而降低开关损耗。
5. 高可靠性：通过了严格的测试和验证流程，确保在各种应用场景中的可靠性。
IPP60R180P7主要应用于以下几个领域：
1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC和DC-DC转换器。
2. 电机控制：用于无刷直流电机（BLDC）和其他电机驱动应用。
3. 工业自动化：包括伺服驱动器、机器人控制器以及其他工业设备。
4. 汽车电子：如电池管理系统（BMS）、车载充电器以及LED照明。
5. 消费类电子产品：例如适配器、充电器以及家用电器的电源管理部分。
IPP60R190P7
IPP60R170P7
