时间：2025/9/15 1:08:58
阅读：5
BUK9880-55A/CUX 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的高性能 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率和高频率的开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高电流承载能力，适用于汽车电子、电源管理和工业控制系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：55V
最大漏极电流（ID）：150A
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值）
栅极电压范围：-20V 至 +20V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：Power-SO10
功率耗散（PD）：200W
BUK9880-55A/CUX 的主要特性之一是其极低的导通电阻，仅为 4.5mΩ，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。这种低 RDS(on) 特性使其特别适合用于高电流应用，例如电动车辆的电池管理系统、DC-DC 转换器和电机驱动器。
此外，该 MOSFET 具有高电流承载能力，额定漏极电流可达 150A，在高负载条件下仍能保持稳定工作。其最大漏源电压为 55V，适用于中等电压范围的功率转换应用。
该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供优异的开关性能，降低了开关损耗，从而提高了系统的整体能效。同时，其栅极电压范围为 -20V 至 +20V，使其适用于多种栅极驱动方案，包括负压关断以提高可靠性。
在热管理方面，该器件的封装设计优化了散热性能，能够在高温环境下稳定运行。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，表现出良好的热稳定性和可靠性，特别适合汽车和工业应用中的严苛环境条件。
封装方面，BUK9880-55A/CUX 采用 Power-SO10 封装，这是一种表面贴装封装，具有较好的热性能和空间利用率，适用于自动化生产流程。
BUK9880-55A/CUX 广泛应用于多个高性能功率电子领域。在汽车电子系统中，它常用于电动车辆的电池管理系统（BMS）、车载充电器和DC-DC转换器，其高电流能力和低导通电阻使其成为高效率电源转换的理想选择。在工业自动化和控制系统中，该MOSFET可用于电机驱动、逆变器和不间断电源（UPS）等设备，提供快速开关和低损耗特性，确保系统运行的稳定性和可靠性。
此外，该器件也适用于通信设备中的电源模块，例如基站电源和服务器电源系统，满足高功率密度和高效率的设计需求。由于其良好的热稳定性和宽工作温度范围，BUK9880-55A/CUX 也适合用于户外和恶劣环境下的工业控制设备。
在消费类电子产品中，如高功率LED照明和智能家居设备的电源管理模块中，该MOSFET同样能发挥出色的性能。其低RDS(on)和快速开关特性有助于提高能效并减少热量产生，从而延长设备的使用寿命。
IRF1405, BSC090N03LS G, BUK9Y80-55A, BUK9870-55A
