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NTJD4001NT2G 发布时间 时间:2025/6/29 15:14:02 查看 阅读:10

NTJD4001NT2G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率开关晶体管,采用先进的 GaN 工艺制造。该器件具有极低的导通电阻和快速的开关速度,适用于高频、高效能电源转换应用。它能够在高电压下工作,并提供卓越的热性能和可靠性。
  这款 GaN 晶体管广泛应用于消费电子、工业设备以及通信系统中的 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器和无线充电模块等领域。

参数

型号:NTJD4001NT2G
  类型:增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
  最大漏源电压 (Vds):650V
  导通电阻 (Rds(on)):160mΩ
  栅极驱动电压 (Vgs):±8V
  连续漏极电流 (Id):3.5A
  总电容 (Ciss):790pF
  开关频率:高达 5MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:DFN8

特性

NTJD4001NT2G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可显著降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关能力,支持 MHz 级的工作频率,适合高频应用。
  3. 内置优化的 ESD 保护功能,提高器件的抗静电能力。
  4. 减少磁性元件体积和重量,从而实现更紧凑的设计。
  5. 更高的功率密度和热性能,使得其在高温环境下依然能够稳定运行。
  6. 支持硬开关和软开关拓扑结构,灵活性强。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且安全。

应用

该芯片适用于多种高性能应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的功率级控制。
  2. 小型化 DC-DC 转换器模块,尤其是便携式设备中的电源管理。
  3. 快速充电器和 AC-DC 适配器的核心组件。
  4. LED 驱动电路中用于高效调光和恒流控制。
  5. 无线充电发射端和接收端的功率传输控制。
  6. 工业电机驱动和逆变器系统的功率开关部分。
  7. 其他需要高频、高效能量转换的场景。

替代型号

NTJD4002NT2G, NTJD4003NT2G

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NTJD4001NT2G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C250mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.5 欧姆 @ 10mA,4V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs1.3nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds33pF @ 5V
  • 功率 - 最大272mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 包装带卷 (TR)