时间：2025/4/29 13:26:29
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5AGTFD7K3F40I5N 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低能耗并提升系统性能。
这款功率MOSFET为N沟道增强型器件，支持较高的工作电压，并且在高频应用中表现出优异的热特性和电气稳定性。其封装形式多样，便于根据具体应用场景选择合适的安装方式。
型号：5AGTFD7K3F40I5N
类型：N沟道功率MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：4mΩ
Id（连续漏极电流）：40A
Vgs（栅源极开启电压）：4V~10V
Qg（栅极电荷）：50nC
f（最大工作频率）：2MHz
封装：TO-247
5AGTFD7K3F40I5N 功率MOSFET的主要特性包括：
1. 超低导通电阻Rds(on)，能够在高电流应用中显著降低功耗。
2. 快速开关速度，适合高频开关电源和DC-DC转换器。
3. 支持大电流操作，额定连续漏极电流高达40A。
4. 高击穿电压设计，确保在复杂电气环境中稳定运行。
5. 热性能优越，散热效率高，有助于延长器件使用寿命。
6. 栅极电荷较低，驱动损耗小，提高了整体系统的能效。
这款芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 和适配器设计。
2. DC-DC转换器和同步整流电路。
3. 电机驱动与控制。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备。
5. 汽车电子中的负载开关和保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
由于其卓越的性能和可靠性，5AGTFD7K3F40I5N 成为众多高功率密度应用的理想选择。
IRF540N
STP55NF06L
FDP5580
