时间：2025/9/2 7:07:02
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H9CCNNNBPTALBR-NTD是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第4代）系列，专为移动设备和高性能计算应用设计。LPDDR4相较于前代产品在带宽、功耗和容量方面都有显著提升，使其成为智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及车载电子设备的理想选择。H9CCNNNBPTALBR-NTD封装形式为BGA（球栅阵列封装），具备较高的集成度和稳定性，适用于对空间和功耗要求较高的应用场景。
容量：4GB（Gigabytes）
封装类型：BGA
接口类型：LPDDR4
工作电压：1.1V（VDD）/0.6V（VDDQ）
数据速率：3200Mbps（Megabits per second）
组织结构：x16（16位数据总线宽度）
温度范围：-40°C至+85°C
工作频率：1600MHz（等效时钟频率）
制造工艺：先进制程工艺（通常为20nm或以下）
H9CCNNNBPTALBR-NTD作为一款LPDDR4 DRAM芯片，具备多项先进的性能与设计特点。首先，其低电压设计（1.1V和0.6V）有效降低了功耗，延长了移动设备的电池续航时间，并减少了热量的产生。其次，该芯片支持高达3200Mbps的数据传输速率和1600MHz的工作频率，使得数据吞吐能力大幅提升，满足了现代高性能计算应用对内存带宽的需求。此外，H9CCNNNBPTALBR-NTD采用x16的数据总线宽度，在保证高容量的同时也提高了数据访问效率，优化了系统性能。
该芯片的BGA封装技术不仅提高了封装密度，还增强了电气性能和热稳定性，适用于紧凑型和高可靠性要求的应用场景。其支持的温度范围较宽（-40°C至+85°C），可适应各种复杂的工作环境，包括工业控制、汽车电子等要求较高的领域。
另外，H9CCNNNBPTALBR-NTD采用了先进的制程工艺（通常为20nm或以下），在提升性能的同时也降低了芯片的漏电流和功耗，进一步增强了能效比。这种工艺进步也使得该芯片在高容量和高性能之间取得了良好的平衡。
H9CCNNNBPTALBR-NTD主要应用于对性能和功耗都有较高要求的电子设备。其最常见的应用领域包括智能手机和平板电脑，作为主存储器用于支持操作系统、应用程序和多媒体内容的高效运行。此外，该芯片也广泛用于高性能嵌入式系统，如工业控制设备、网络通信设备和边缘计算设备，以满足其对内存带宽和功耗的双重需求。
由于其良好的温度适应性，H9CCNNNBPTALBR-NTD也可用于车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）等汽车电子领域。在这些应用中，芯片需要在高温和低温极端环境下保持稳定运行，而该芯片的宽温度范围特性正好满足了这一需求。
在消费电子领域，该芯片还可用于智能穿戴设备、AR/VR设备和便携式游戏设备等产品中，为这些设备提供高速、低功耗的内存支持。
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