时间：2025/8/23 19:48:08
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TT251N14KOF 是由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换应用，如DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池充电系统。TT251N14KOF 采用先进的沟槽栅极技术和优化的硅片设计，以实现低导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能。该MOSFET封装在紧凑的PowerFLAT 5x6封装中，具有良好的热管理和空间利用率，适合高密度和高功率的应用环境。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：20A（在Tamb=25°C）
脉冲漏极电流（Idm）：80A
导通电阻（Rds(on)）：14mΩ（最大值，在Vgs=10V）
输入电容（Ciss）：约1600pF
工作温度范围：-55°C 至 175°C
TT251N14KOF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具有极低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 时最大为 14mΩ。这一特性使得它在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件采用了先进的沟槽栅极技术，优化了开关特性和热性能，从而在高频开关条件下仍能保持稳定的工作状态。其高栅极电压容限（±20V）使其适用于各种驱动电路，增强了系统的可靠性。
TT251N14KOF 封装于 PowerFLAT 5x6 封装中，具有出色的散热性能和较小的封装尺寸，适用于对空间要求较高的 PCB 设计。该封装还支持表面贴装工艺，便于自动化生产和提高焊接可靠性。器件的温度范围为 -55°C 至 175°C，适用于各种严苛的工作环境。此外，该MOSFET具有良好的短路耐受能力和抗雪崩能力，适用于高可靠性和高安全性的应用场合。
TT251N14KOF 主要用于需要高效功率转换和高电流承载能力的场合。其典型应用包括同步整流 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源管理模块、工业自动化控制以及高功率密度电源设备。由于其优异的导通特性和开关性能，特别适合用于高频开关电源和高效能电机控制电路中，以减少能量损耗并提高整体系统效率。此外，由于其紧凑的封装形式，也非常适合用于空间受限的便携式电子设备和汽车电子系统。
STL25N14K5AG4-LLP, IPD25N14K4-17
