容量：8GB
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　封装类型：TSOP
　　封装尺寸：48-pin
　　接口：NAND Flash接口
　　读取速度：最大50MB/s
　　写入速度：最大15MB/s
　　擦除速度：最大2ms/块
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　存储单元类型：MLC（多层单元）
　　页面大小：4KB
　　块大小：128KB
　　支持ECC：需要外部ECC校正
　　数据保持时间：10年

HY27UH08AJ5M-TPCB 采用MLC NAND技术，能够在每个存储单元中存储多个比特的数据，从而实现更高的存储密度。相比SLC（单层单元）NAND，MLC NAND在成本和容量方面具有优势，但通常具有较低的写入寿命和较慢的读写速度。该芯片支持较高的读取速度（最高50MB/s），适用于需要较高数据吞吐量的应用。其写入速度为最高15MB/s，适合中等频率的写入操作。该芯片支持ECC（错误校正码）功能，但需要外部控制器进行错误校正，因此在系统设计时需要考虑ECC控制器的支持。
　　该器件的工作电压范围为2.7V至3.6V，具有较宽的电源适应范围，适用于不同的电源设计。其TSOP封装形式便于PCB布局和焊接，适合批量生产和嵌入式应用。芯片支持-40°C至+85°C的工作温度范围，适用于工业级环境条件下的稳定运行。此外，其页面大小为4KB，块大小为128KB，支持快速擦除操作（最快2ms/块），提高了整体的存储效率。

HY27UH08AJ5M-TPCB 广泛应用于需要中等容量、较高可靠性和良好性能的嵌入式存储系统中。典型应用包括消费类电子产品（如MP3播放器、数码相机、USB存储设备）、工业控制系统、通信设备、车载导航系统、智能卡终端、便携式医疗设备等。由于其支持宽温工作范围，因此也适用于对环境适应性要求较高的工业现场设备。该芯片也常用于固态硬盘（SSD）控制器搭配的缓存存储，用于提高系统的数据读写效率和可靠性。此外，在需要数据长期存储的场景中，例如数据记录仪和远程监控设备，该芯片也表现出良好的数据保持能力。

K9F5608U0C-YCB0, K9F2G08U0C-PCB0, NAND512R3A0BNCP, HY27UF084G2M-TPC