580A311I-A100是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
其封装形式通常为表面贴装类型,适合高密度电路板设计,广泛应用于消费电子、工业控制以及汽车电子等领域。
型号:580A311I-A100
类型:N-Channel MOSFET
额定电压:60V
额定电流:40A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:35nC
最大功耗:20W
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
封装:TO-263(D2PAK)
580A311I-A100具有非常低的导通电阻,这使得它在高电流应用中表现出色,能够显著降低功率损耗。
此外,该器件的快速开关特性减少了开关损耗,提高了整体效率。
内置的ESD保护功能增强了其抗静电能力,从而提高了可靠性和稳定性。
由于其高耐热性,即使在极端环境下也能保持稳定的性能表现。
同时,这款MOSFET还支持高频操作,非常适合现代高效能转换器的需求。
580A311I-A100广泛应用于各种需要高效功率转换的场景,例如:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 汽车电子系统中的负载切换和DC-DC转换。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. LED照明驱动器中的功率调节部分。
580A311I-A120, IRFZ44N, FDP5800