时间：2025/6/21 1:14:27
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GMC02CG120G50NT 是一款高性能的功率 MOSFET，主要用于高频开关应用。该器件采用先进的制造工艺，在确保低导通电阻的同时，还提供了出色的开关性能和热稳定性。其封装形式为 TO-263，适合各种工业和汽车级应用场景。
型号：GMC02CG120G50NT
类型：N沟道 MOSFET
Vds（漏源电压）：120V
Rds(on)（导通电阻）：5.0mΩ（典型值，@Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：50A
Qg（栅极电荷）：78nC
f（工作频率）：支持高达 1MHz 的高频应用
封装：TO-263
GMC02CG120G50NT 提供了非常低的导通电阻 Rds(on)，这有助于减少导通损耗并提高效率。
该器件具备高雪崩能力，能够承受瞬态过压情况下的能量冲击。
MOSFET 的快速开关性能使其非常适合于高频 DC-DC 转换器、开关电源以及电机驱动等应用。
此外，该产品经过严格的质量控制流程，符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车电子环境。
由于采用了优化的芯片设计和封装技术，其散热性能优异，可有效降低工作温度，从而延长使用寿命。
GMC02CG120G50NT 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC元件。
3. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
4. 工业电机驱动及逆变器。
5. LED 驱动器中的功率开关。
6. 太阳能微逆变器和其他新能源相关设备。
GMC02CG120G40NT
GMC02CG120G60NT
