类型：四路2输入与门
　　逻辑系列：LS-TTL
　　电源电压：4.75V ~ 5.25V
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装类型：Ceramic Flatpack (通常是20引脚或14引脚)
　　输出类型：推挽输出
　　传播延迟时间（典型值）：约10ns（@ 5V）
　　直流输出电流：±0.4mA（低电平），±2mA（高电平）
　　低电平输入电压最大值：0.8V
　　高电平输入电压最小值：2.0V
　　低电平输出电压最大值：0.5V
　　高电平输出电压最小值：2.7V
　　单位传输延迟功耗积（PD）：约100 pJ

54LS08F的核心特性在于其采用了低功耗肖特基TTL技术，通过在晶体管的基极-集电极之间引入肖特基二极管，有效防止晶体管进入深度饱和状态，从而大幅缩短了开关过程中的存储时间，提高了整体的开关速度。这一设计使得器件能够在保持较低功耗的同时实现快速的逻辑响应，典型传播延迟时间为10ns左右，远优于标准TTL器件。此外，其低功耗特性体现在典型的电源电流仅为几毫安，相比早期的74系列TTL器件功耗降低了一个数量级，使其更适合于对功耗敏感的嵌入式和便携式军事电子设备。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至+125°C，符合MIL-STD-883标准，适用于极端高低温环境，如太空飞行器、导弹制导系统、舰载雷达和野外通信设备等。陶瓷扁平封装（F-package）不仅提供了优良的散热性能，还具备优异的密封性和抗湿性，能够有效防止腐蚀和外部污染，提高长期使用的可靠性。引脚布局符合标准DIP或SMD封装兼容设计，便于在混合信号PCB板上进行布局与焊接。
　　54LS08F的电气特性经过严格筛选和测试，具有高度一致性和稳定性。输入端设有钳位二极管，可有效抑制负向电压尖峰，提升抗干扰能力。输出驱动能力适中，可直接驱动多个LS-TTL负载或少量标准TTL输入。其逻辑功能严格遵循布尔代数中的与运算规则，即仅当两个输入均为高电平时，输出才为高电平，其他情况输出为低电平。该器件还具备良好的噪声容限，在电源波动和电磁干扰较强的环境中仍能稳定工作。由于其成熟的设计和长期供货保障，54LS08F在国防和航天领域仍被广泛使用，尽管现代CMOS技术已在多数民用领域取代TTL，但在某些对瞬态响应和确定性时序要求极高的场景中，LS-TTL仍具不可替代的优势。

54LS08F主要用于高可靠性、宽温域和强抗干扰需求的军事与航空航天电子系统中。典型应用场景包括飞行控制系统中的逻辑判断单元、雷达信号处理模块中的时序同步电路、卫星通信设备中的地址译码与数据路由选择、导弹制导系统的状态监测逻辑网络以及地面战车电子平台中的电源管理控制电路。由于其具备优异的温度适应性和长期稳定性，该器件常被用于需要在极寒或高温沙漠环境中持续运行的装备。在航空航天领域，54LS08F可用于火箭发射前的自检系统，执行多条件与逻辑判断，确保所有安全指标满足后才允许点火。在雷达系统中，它可以参与波束成形控制信号的生成，只有当多个触发条件同时满足时，才激活特定天线阵元。此外，在高精度测量仪器和核反应堆监控系统中，54LS08F也用于构建关键的安全联锁机制，防止误操作导致事故。由于其逻辑功能明确且响应速度快，该芯片还可作为微处理器外围电路中的地址总线解码器，用于选择特定的存储器或I/O端口。在老旧型号军用设备的维护与升级中，54LS08F作为原装设计元件，具有不可替代的兼容性优势，因此在备件替换和系统修复中依然具有重要价值。尽管现代CMOS工艺器件在集成度和功耗方面更具优势，但54LS08F凭借其成熟性、可靠性和确定性时序行为，在特定高端领域仍保持着稳定的应用地位。

SN54LS08J
　　SN54LS08W
　　DM54LS08