BOM-BSC0550-60M/FR-00 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。其设计采用先进的沟槽式技术,具有低导通电阻和高电流承载能力,能够有效降低能量损耗并提升系统效率。
该型号特别适用于高频开关应用场合,具备快速开关速度和良好的热稳定性,确保在各种工作条件下的可靠性和性能。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):55A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ
栅极电荷(Qg):75nC
总功耗(Ptot):180W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
BOM-BSC0550-60M/FR-00 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,仅为 4mΩ,可显著降低导通损耗。
2. 高电流处理能力,支持高达 55A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能,适合高频应用。
4. 具备优异的热性能和耐用性,适用于恶劣环境。
5. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅工艺。
7. 内置静电保护功能,提高器件可靠性。
这些特性使其成为高效能电力电子设备的理想选择。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的功率控制。
4. 新能源汽车中的电池管理系统 (BMS)。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 各种需要高效功率切换的场景。
BOM-BSC0550-60M/FR-00 凭借其出色的性能和可靠性,已成为这些应用中的首选解决方案。
BSC0550N60NS3, IRF540N, FDP55N60E