时间：2025/5/7 13:17:31
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SSW60R043SFD2 是一款高性能的 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺，适用于各种高效率、低损耗的应用场景。这款芯片具有极低的导通电阻和出色的开关性能，能够显著降低功率损耗并提高系统的整体效率。
型号：SSW60R043SFD2
类型：N-Channel MOSFET
封装：LFPAK56E
Vds（漏源电压）：43V
Rds(on)（导通电阻）：60mΩ（典型值，最大值为70mΩ）
Id（连续漏极电流）：89A
栅极电荷：15nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
EAS（雪崩能力）：符合 JEDEC 标准
Qg（总栅极电荷）：25nC（最大值）
SSW60R043SFD2 的主要特性包括其超低的导通电阻 (Rds(on))，这使得它非常适合于高电流应用场合，例如 DC/DC 转换器和电机驱动等。此外，该器件还具备快速开关能力和较低的栅极电荷，从而减少了开关损耗。
它的高电流处理能力和宽广的工作温度范围，使其成为恶劣环境条件下理想的选择。另外，该芯片支持自动化的表面贴装生产流程，有助于提升组装效率和降低成本。
由于采用了 LFPAK56E 封装，SSW60R043SFD2 提供了卓越的热性能和电气性能，同时保持了紧凑的设计以节省 PCB 空间。
SSW60R043SFD2 主要应用于高效能电源管理领域，如笔记本电脑适配器、服务器电源、工业自动化设备以及电动工具中的电机驱动电路。
此外，它也广泛用于汽车电子系统中，例如车载充电器、LED 驱动器及车身控制模块等。得益于其出色的散热特性和可靠性，SSW60R043SFD2 还能在新能源领域找到用武之地，比如太阳能逆变器和电动车牵引逆变器。
BSC088N04LS G
IPD075N04S4L
FDMC8810
