时间：2025/8/5 7:13:12
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CMDSH2-3 TR 是一款由 Central Semiconductor 制造的双通道 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-363 封装，适用于高频率开关和功率管理应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及良好的热稳定性，使其成为电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用的理想选择。
类型：MOSFET（N 沟道）
漏源电压（VDS）：20V
漏极电流（ID）：0.2A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：5.5Ω（最大值，VGS=4.5V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：0.6V 至 1.5V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-363
CMDSH2-3 TR 的设计注重低功耗和高效能，其双通道结构允许在单个封装中实现两个独立的 MOSFET 器件，从而节省电路板空间并提高系统集成度。该器件的低导通电阻减少了导通状态下的功率损耗，有助于提高整体系统效率。此外，其快速开关特性使得在高频开关应用中表现出色，降低了开关损耗。
为了确保在各种工作条件下都能可靠运行，CMDSH2-3 TR 提供了良好的热稳定性，并且其 SOT-363 封装具有优异的散热性能。这种封装形式也支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和高密度 PCB 布局。
CMDSH2-3 TR 的栅极阈值电压范围较宽（0.6V 至 1.5V），使其适用于多种控制电路设计，包括低电压微控制器或数字逻辑电路的直接驱动。这种低阈值电压也使得该器件在低功耗应用中表现出色。
CMDSH2-3 TR MOSFET 主要应用于便携式电子设备中的功率管理电路，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。它也适用于 DC-DC 转换器、负载开关、LED 驱动电路、电机控制以及各种电池供电的小型电子设备。由于其双通道设计和小型封装，该器件在需要节省空间和提高集成度的电路中尤为受欢迎。此外，它的快速开关特性和低导通电阻使其成为高频开关电源和高效能功率调节电路的理想选择。
DMT2020LDM-7, FDMC8030, BSS84P
