时间：2025/6/26 14:53:29
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500R15N222JV4T是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压、高功率应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关性能，适用于电源转换、电机驱动、工业控制等领域。
其封装形式通常为TO-247或类似的大型功率封装，以提供良好的散热性能和电气连接。此外，该型号具有出色的雪崩能力和热稳定性，使其在恶劣环境下也能可靠运行。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：50A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：65nC
工作温度范围：-55℃至+175℃
该器件的显著特点是其高耐压能力，能够承受高达1200V的漏源电压，这使得它非常适合于高压环境下的应用。
其次，其低导通电阻（0.18Ω）有效降低了传导损耗，提高了系统的整体效率。
另外，该器件具有较快的开关速度，结合较小的栅极电荷（65nC），有助于减少开关损耗。
其宽泛的工作温度范围（-55℃至+175℃）确保了在极端条件下的可靠性，而优秀的雪崩能力进一步增强了其抗过载能力。
500R15N222JV4T广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 高压直流-直流转换器
2. 太阳能逆变器
3. 工业电机驱动
4. 不间断电源（UPS）
5. 电动汽车中的电力管理系统
由于其高耐压和大电流承载能力，特别适合需要处理高电压和高功率的应用场景。
IRGB14D120C4H
FCH069N120
CSD18540KCS
