FDMB506P 时间：2023/12/19 18:00:00 阅读：240

类别：分离式半导体产品

概述

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PowerTrench?
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：30 毫欧 @ 6.8A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.8A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：30nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2960pF @ 10V
功率 - 最大：1.9W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-MLP, MicroFET?
包装：带卷 (TR)

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产品型号
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FDMB506P
深圳市宝芯创电子有限公司
1612
ON
2023+/

FDMB506P
深圳市世纪成达电子科技有限公
9000
Fairchild/ON
22+/8PowerWDFN

FDMB506P
深圳市创芯联盈电子有限公司
9000
Fairchild/ON
23+/8PowerWDFN

FDMB506P
深圳市辉华拓展科技有限公司
10537
ON
-/-

FDMB506P
深圳市硅宇电子有限公司
15922
Onsemi/安森美
2423+/

FDMB506P
深圳市威雅利发展有限公司
9000
Fairchild/ON
23+/8PowerWDFN

FDMB506P
深圳市创宝来科技有限公司
9800
FSC
1808+/N/A

FDMB506P
深圳市昴泽电子有限公司
9811
22+/

FDMB506P
深圳市河锋鑫科技有限公司
9000
Fairchild/ON
2023+/8PowerWDFN

FDMB506P
深圳市科鑫美电子有限公司
9000
Fairchild/ON
22+/8PowerWDFN

FDMB506P
深圳市腾桩电子有限公司
9000
Fairchild/ON
23+/8PowerWDFN

FDMB506P
深圳市恒芯巨能电子有限公司
23000
Fairchild Semiconductor
23+/-

FDMB506P
柒号芯城电子商务(深圳)有限公
8913
Fairchild/ON
23+/8PowerWDFN

FDMB506P
深圳市芯创恒微电子有限公司
3000
ON
20+/8MLPMicroFET3x1.9

FDMB506P
艾润（香港）电子有限公司
19550
FARICHILD
2018+/-

FDMB506P
深圳市得捷芯城科技有限公司
7764
onsemi(安森美)
23+/MLP8(3x1.9)

FDMB506P
深圳市英德州科技有限公司
15500
onsemi(安森美)
23+/MLP8(3x1.9)

FDMB506P
深圳市得捷芯电子科技有限公司
3650
FAIRCHILD
23+/8MLPMicroFET3x1.9

FDMB506P
深圳市科祥威电子科技有限公司
15000
Fairchild Semiconductor
21+/8MLPMicroFET

FDMB506P
深圳市吉铭贸易有限公司
50000
ON Semiconductor
2020+/MOSFET PCH 20V 6.8A 8MICROFET

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FDMB506P
P-Channel 1.8V Logic Level PowerTren...
FAIRCHILD&nbs...
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FDMB506P参数

标准包装3,000
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列PowerTrench®
FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 6.8A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds2960pF @ 10V
功率 - 最大1.9W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-MLP，MicroFET?
供应商设备封装8-MLP，MicroFET（3x1.9）
包装带卷 (TR)