时间：2025/8/28 17:50:36
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LR4906是一款由LRC（乐山无线电）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源管理应用而设计，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。其广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各类功率控制电路中。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A（在TC=25℃时）
最大漏-源电压（VDS）：60V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON)）：≤28mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：150W
工作温度范围：-55℃至+175℃
LR4906采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其在低导通电阻和高开关性能之间取得了良好的平衡。该器件具有较高的电流承载能力和较低的导通损耗，有助于提高系统效率并减少散热需求。此外，其坚固的结构设计使其具有良好的抗雪崩能力和较高的可靠性，适用于各种恶劣工作环境。
该MOSFET采用TO-263（D2PAK）封装，具有良好的热管理和可焊性，便于在高功率应用中进行散热设计。其栅极驱动电压范围较宽，在4.5V至20V之间均可正常工作，适用于多种驱动电路设计。
LR4906还具备较快的开关速度，能够适应高频开关应用，减少开关损耗，提高系统整体效率。其较低的输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss）有助于降低高频下的驱动损耗和振荡风险。
LR4906广泛应用于各种电源管理系统中，包括同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池充电器和放电保护电路。此外，它还适用于服务器电源、工业控制系统、汽车电子系统和高性能计算设备中的功率管理模块。
IRF1406, STP60NF06, FDP6030L, SiR142DP
